Температурный коэффициент - диэлектрическая проницаемость
Cтраница 3
К конденсаторной керамике обычно предъявляется требование возможно меньшего значения температурного коэффициента диэлектрической проницаемости. В принятом в СССР обозначении такие составы имеют букву Т ( титановая керамика); последующая цифра обычно обозначает номинальную диэлектрическую проницаемость. Эти материалы называют также тикондами. [31]
Поскольку диэлектрическая проницаемость пропорциональна емкости образца, то можно связать температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТКе с температурным коэффициентом емкости ТКЕ образца. [32]
Характерными особенностями цельзиановои керамики являются очень низкий температурный коэффициент линейного расширения, незначительный температурный коэффициент диэлектрической проницаемости и весьма небольшие диэлектрические потери, вплоть до температур 300 - 400 С. [33]
Характерными особенностями цельзиановой керамики являются очень низкий температурный коэффициент линейного расширения, незначительный температурный коэффициент диэлектрической проницаемости и весьма небольшие диэлектрические потери, вплоть до температур 300 - 400 С. [34]
Для изготовления конденсаторов применяют керамику с различными значениями диэлектрической проницаемости е и температурного коэффициента диэлектрической проницаемости ТКв. [35]
Температурный коэффициент емкости Т КС ( 1 / С) пленочных конденсаторов определяется температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости диэлектрика, которая для большинства используемых диэлектрических материалов составляет от - 60 - 10-в до 500 - 10 - 6 Г С. [36]
 |
Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры для неполярного диэлектрика - парафина.| Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры для ионного кристалла КС1. [37] |
Исключением являются кристаллы, содержащие ионы титана ( рутил ТЮ2 и некоторые титанаты), температурный коэффициент диэлектрической проницаемости которых отрицателен. Это объясняется преобладающей в них электронной поляризацией, усиленной под влиянием добавочного внутреннего поля при ионном смещении. [38]
Таким условиям удовлетворяют конденсаторные диэлектрики, имеющие определенный по знаку и малый по абсолютной величине температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТК е, изменяющийся по заданному закону, малый тангенс угла диэлектрических потерь tg6, практически не зависящий от температуры, частоты, напряжения, повышенной влажности и других факторов. Кроме того, в диэлектрике не должно наблюдаться эффекта старения. [39]
 |
Диэлектрическая проницаемость нейтральных твердых диэлектриков. [40] |
Температурная зависимость диэлектрической проницаемости нейтральных твердых диэлектриков определяется изменением числа молекул в единице объема, и температурный коэффициент диэлектрической проницаемости ТКе может быть подсчитан по формуле ( 31), выведенной для нейтральных жидкостей. [41]
Материалы с большими значениями диэлектрической проницаемости, от 130 и выше, имеют и наибольшее абсолютное значение температурного коэффициента диэлектрической проницаемости, вследствие чего их применяют для конденсаторов, не определяющих стабильности частоты. Материалы с наименьшим значением диэлектрической проницаемости ( от 12 до 17) имеют значение ТКе от - ( 47 30) X 10 6 до ( 33 - - 20) - Ю - в и применяются для конденсаторов высокой стабильности. [42]
 |
Зависимость диэлектрической проницаемости е от ди-польного момента ц для чистых дипольных жидкостей ( по Онза-геру. [43] |
Необходимо также обратить внимание на эмпирическую связь между дипольным моментом, вычисляемым по формуле Онзагера, и температурным коэффициентом диэлектрической проницаемости. [44]
Так как согласно уравнению ( 20) Сг Сй, а Сй представляет емкость слоя окиси алюминия, температурный коэффициент диэлектрической проницаемости которого равен - J-100 - 10 град -, то эквивалентная последовательная емкость электролитического конденсатора Сг практически не должна меняться с температурой. Из уравнения ( 20) следует также, что Сг не зависит от частоты. [45]
Страницы: 1 2 3 4