Cтраница 1
![]() |
Конструкции постоянных высоковольтных резисторов. [1] |
Температурный коэффициент сопротивления резисторов не превышает 25 - 10 - 1 / С, уровень собственных шумов - не более 15 мкВ / В ( для всех вышеуказанных типов резисторов, кроме КИМ), для резисторов КИМ уровень шумов не более 25 мкВ / В, срок сохраняемости резисторов СЗ-13-10 лет, для остальных резисторов данной серии - 12 лет. [2]
![]() |
Виды кривых регулирования ( функциональных характеристик переменных резисторов. [3] |
Температурный коэффициент сопротивления резисторов СИ не превышает 20 - 10 - 4 1 / С. [4]
![]() |
Номограмма для выбора резисторов /.. и R2 при ослаблении на ступень в 10 дб. [5] |
Температурный коэффициент сопротивления резисторов БЛП группы А не превышает 0 015 % на 1 С. [6]
Температурным коэффициентом сопротивления резистора ( ТКС) называется относительное изменение его сопротивления при изменении температуры на 1 С. [7]
Каким выражением определяется температурный коэффициент сопротивления резисторов. [8]
![]() |
Погрешности, вносимые при изготовлении диффузионных резисторов. [9] |
В процессе разработки полупроводниковой ИМС необходимо учитывать, что заданный температурный коэффициент сопротивления резистора в значительной степени определяет максимальное значение номинального сопротивления, которое может быть получено при строго ограниченных геометрических размерах резисторов. Действительно, использование для резистора наиболее низко-омного материала с меньшим температурным коэффициентом сопротивления требует увеличения площади, занимаемой резистором. Более того, поскольку изготовление резистора производится совместно с формированием базовой области транзисторной структуры, возможности изменения удельного поверхностного сопротивления диффузионного слоя являются крайне ограниченными. [10]
В процессе разработки полупроводниковой ИМС необходимо учитывать, что заданный температурный коэффициент сопротивления резистора в значительной степени определяет максимальную величину номинального сопротивления, которая может быть получена при строго ограниченных геометрических размерах резисторов. Действительно, использование для резистора более низкоомного материала, с меньшим температурным коэффициентом сопротивления, требует увеличения площади, занимаемой резистором. Более того, поскольку изготовление резистора производится совместно с формированием базовой области транзисторной структуры, возможности изменения удельного поверхностного сопротивления диффузионного слоя являются крайне ограниченными. [11]
Допустимая мощность рассеяния диффузионных резисторов ограничена малыми размерами и топологией резистивной диффузионной полоски резистора ( рис. 7.11, г, д), а также связана с температурным коэффициентом сопротивления резистора, так как нагрев резистора проходящим током вызывает изменение сопротивления и приводит к нелинейности ВАХ. [12]
Допустимая мощность рассеяния диффузионных резисторов ограничена малыми размерами и топологией резистивной диффузионной полоски резистора ( рис. 7.11, г, д), а также связана с температурным коэффициентом сопротивления резистора, так как нагрев резистора проходящим током вызывает изменение сопротивления и приводит к нелинейности вольт-амперной характеристики. [13]
Основные параметры переменных резисторов с объемным резис-тивным элементом на основе электропроводящих полимерных материалов приведены в табл. 2.17, конструкции резисторов даны на рис. 2.31. Интервал рабочих температур резисторов СП4 - 1, СП4 - 2, СП4 - 3 от - 60 до 125 С, допускается эксплуатация резисторов при относительной влажности воздуха до 98 % ( при 40 С) от 13 - 10 - 5 до 10 67 - 104 Па. Температурный коэффициент сопротивления резисторов СП4 в интервале рабочих температур не превышает 20Х ХЮ - 1 / С, уровень собственных шумов 6 - 8 мкВ / В. [14]
С повышением температуры изменяется удельная электропроводность метал-лов, полупроводников и диэлектриков, изменяются диэлектрическая проницаемость и тангенс угла потерь tg 6 диэлектриков. Эти изменения обычно учитываются соответствующими температурными коэффициентами сопротивления резисторов, емкости конденсаторов, температурной зависимостью обратных токов р-п переходов, коэффициента передачи тока транзисторов. [15]