Cтраница 2
Особую группу составляют полупроводниковые материалы с большим отрицательным температурным коэффициентом; они представляют собой гомогенную оксидную керамику, спеченную при высокой температуре. Изготовленные таким способом резисторы называют ОТК-резисторами ( с отрицательным температурным коэффициентом) или термисторами. Температурный коэффициент сопротивления термисторов при комнатной температуре колеблется от - 3 до - 6 % / К. [16]
Значения постоянной В для различных типов полупроводниковых сопротивлений могут сильно различаться. Но для тер-мисторов промышленного изготовления В обычно лежит в пределах 1700 - 6700 град-1, что соответствует температурному коэффициенту сопротивления при комнатной температуре от 2 до 8 % на 1 град. Таким образом, температурный коэффициент сопротивления термистора много выше, чем температурный коэффициент платинового термометра сопротивления, составляющий лишь около 0 4 % на 1 град. Высокая термометрическая чувствительность термисторов является их основным преимуществом перед термометрами сопротивления с чувствительным элементом из металлической проволоки. [17]
Особенностями термисто-ров по сравнению с металлическими термометрами сопротивления являются более высокий температурный коэффициент сопротивления ( в 6 - 10 раз) и совпадение его знака со знаком температурного коэффициента сопротивления растворов электролитов. Поэтому схемы автоматической температурной компенсации с использованием термисторов отличаются от рассмотренных выше схем. Она представляет собой мостовую измерительную схему ( фиг. Rx и термистор Rt включаются в смежные плечи. Задача температурной компенсации сводится к подбору параметров схемы, при которых закон изменения сопротивления плеч, в которые включены Rx и Rt, был бы одинаков. Если приращения сопротивлений этих плеч равны по величине и совпадают по знаку, то баланс моста при изменениях температуры контролируемого раствора не нарушается. Для согласования температурных коэффициентов сопротивления термистора и контролируемого раствора параллельно Rt включается шунтирующее металлическое сопротивление RUI с низким температурным коэффициентом, в качестве которого обычно используются манганиновые или константано-вые сопротивления. [18]