Температурный коэффициент - электросопротивление
Cтраница 2
Вследствие значительного разброса данных кривая изменения температурного коэффициента электросопротивления для литых сплавов не приведена. На диаграмме рис. 165 данные для литых сплавов показаны сплошными точками. [16]
Па основании измерений удельной теплоемкости и температурного коэффициента электросопротивления Егер и Розенбом [44, 45] пришли к выводу, что существует четыре, а возможно даже и пять, полиморфных модификаций рутения. [17]
Высокое значение удельного электросопротивления и наличие постоянного температурного коэффициента электросопротивления открывают новые возможности для применения ванадия в электротехнике. [18]
Высокое значение удельного электросопротивления и наличие постоянного температурного коэффициента электросопротивления открывают новые возможности для приме ния ванадия в электротехнике. [19]
Однако в направлении оси с инверсии знака температурного коэффициента электросопротивления не обнаружено. [20]
Определить, в каком направлении и почему изменяется температурный коэффициент электросопротивления при увеличении степени легированности сплавов. [21]
В табл. 217 приведены данные [1] по определению температурного коэффициента электросопротивления ( 025 - 100) сплавов с 44 1 - 60 9 ат. [23]
Металлические терморезисторы изготовляют из чистых металлов, отличающихся большим температурным коэффициентом электросопротивления. У чистых металлов сопротивление монотонно возрастает с увеличением температуры и не имеет гистерезиса. Наличие примесей в металле нарушает стабильность характеристики и уменьшает температурный коэффициент электросопротивления, поэтому сплавы не применяют для изготовления терморезисторов. [24]
Арсенид галлия ( GaAs) - соединение темно-серого цвета, температурный коэффициент электросопротивления равен - 4 9 - 10 - эв / град. Этот полупроводниковый материал обладает рядом ценных свойств, в том числе высокими фотоэлектрическими свойствами. GaAs получают сплавлением компонентов, взятых в стехиометрическом соотношении. Плавка проводится в кварцевых ампулах, в которых предварительно создается вакуум. Нагрев производят до 1240 С. Введением в решетку GaAs различных примесей IV группы ( Si, Ge, Sn, Pb) полупроводнику сообщают я-проводимость, в то время как примеси Си и Fe-р-проводимость. Удельная электропроводность в зависимости от сорта и количества примесей находится в пределах 10-в - 10 ом 1 см-1. Из арсенида галлия изготовляют туннельные и высокотемпературные диоды, а также фотоэлементы, которые могут работать без снижения фотоэлектрических свойств при температурах до 250 С. [25]
Хром резко изменяет электрические свойства, повышает электросопротивление и снижает температурный коэффициент электросопротивления никеля. [26]
Например, манганин - широко применяемый для изготовления образцовых резисторов имеет температурный коэффициент электросопротивления весьма малый ( порядка 0 3 - 10 - 1 / С), коэффициент термо - ЭДС в паре с медью всего лишь 1 мкВ / С. В то же время нихром Х15Н60 имеет соответственно температурный коэффициент 1 5 - 10 - 1 / С и коэффициент термо - ЭДС 15 мкВ / С. [27]
Например, манганин - широко применяемый для изготовления образцовых резисторов имеет температурный коэффициент электросопротивления весьма малый ( порядка 0 3 - КГ 1 / С), коэффициент термо - ЭДС в паре с медью всего лишь 1 мкВ / С. В то же время нихром Х15Н60 имеет соответственно температурным коэффициент 1 5 - 10 - 4 1 / С и коэффициент термо - ЭДС 15 мкВ / С. [28]
Чистые металлы обладают низкой твердостью, пластичностью, малым электросопротивлением, большим температурным коэффициентом электросопротивления и другими свойствами, резко отличающими их от сплавов. [29]
Страницы: 1 2 3 4