Относительный температурный коэффициент

Cтраница 3

Для ферритов общего назначения установлены допуски на величины начальной магнитной проницаемости, ее относительного температурного коэффициента и относительного тангенса угла потерь при определенной частоте. Для ферритов, применяемых в импульсных режимах, допуски установлены на величину импульсной проницаемости при определенных условиях и на относительное ее изменение в определенном интервале температур. [31]

Тугоплавкие стекла обладают высокой температурой размягчения ( 550 - 800 С) и низким относительным температурным коэффициентом линейного расширения ( 34 - 55) 10 - 7 мм / мм - град. [32]

Изменение электропроводности расплавленных солей в зависимости от температуры характеризуется температурным коэффициентом, причем различают абсолютный и относительный температурный коэффициент электропроводности. [33]

Относительный температурный коэффициент линейного расширения металла в зоне рабочих температур должен быть близок к относительному температурному коэффициенту линейного расширения стекла. [34]

Частотная зависимость относительного тангенса угла магнитных потерь ферритов.| Основные электромагнитные параметры ферритов III группы. [35]

В табл. 3.6 приведены основные электромагнитные параметры термостабильных ферритов, а в табл. 3.7 - относительный температурный коэффициент начальной магнитной проницаемости. [36]

Если для парамагнитных и диамагнитных металлов общие закономерности Грюнайзена ( W b Cv, где W - относительный температурный коэффициент объемного расширения, bt - коэффициент пропорциональности, Cv - теплоемкость) об увеличении объемного расширения с повышением температуры оправдываются, то для ферромагнитных металлов они нарушаются. [37]

К керамическим материалам предъявляют следующие основные требования: непоглощаемость влаги, малая величина диэлектрических потерь, соответствие относительных температурных коэффициентов линейного расширения изделий из керамики и спаиваемых с ними металлов и сплавов, высокая механическая прочность. [38]

Керамика, применяемая для изготовления внутриламповой изоляции, должна обладать высоким удельным электрическим сопротивлением, малым газовыделением и большой теплостойкостью. Относительный температурный коэффициент линейного расширения ее не должен превышать 8 - 10 - 7 мм / мм-град. [39]

Во всех случаях, которые до настоящего времени удалось проанализировать, кривые Рл систем с взаимодействием, изотермы т) которых монотонно выпуклы к оси состава, характеризуются 5-образным ходом либо размытым максимумом. Это свойство относительного температурного коэффициента вязкости может служить дополнительным способом идентификации взаимодействия в системах, характеризующихся подобными изотермами вязкости. [40]

Необходимый абсолютный температурный коэффициент напряжения ( ТКН), который должен обеспечивать регулятор, равен - 40 5 мВ / С или в относительных единицах - 0 298 % / С. Примерно такой же относительный температурный коэффициент напряжения имеют маломощные кремниевые диоды при прямом токе в несколько миллиампер, а также стабисторы, представляющие собой несколько включенных последовательно диодов. Абсолютный ТКН одного диода около - 2 мВ / С, что при падении напряжения на нем 650 мВ дает относительное значение - 2 / 650 - 0 307 % / С. Отметим, что относительное значение ТКН цепи из нескольких диодов или стабисто-ров не зависит от их числа. [41]

Несмотря на то, что сколько-нибудь полное толкование кондуктометри-ческих данных может быть получено лишь при учете вязкости и диэлектрической проницаемости системы, кондуктометрия является наиболее эффективным методом изучения электролитных свойств жидкой системы. Ниже показано, что диаграммы относительного температурного коэффициента электропроводности позволяют весьма точно определить состав образующегося в системе соединения. [42]

Все методы определения Гс основаны на исследовании температурной зависимости той или иной характеристики материала. К числу таких характеристик относятся удельный объем, относительный температурный коэффициент линейного расширения, удельная теплоемкость, показатель преломления и ряд других свойств. [43]

Наряду с измерением упругих напряжений ( напряжений первого рода, ориентированных микронапряжений) изменение периода кристаллической решетки позволяет оценить ряд других факторов, характеризующих состояние металлов и сплавов под влиянием разных воздействий. Так, измерение периода решетки вещества при разных температурах позволяет установить относительный температурный коэффициент расширения и при этом выявить его анизотропию, что не обеспечивает дилатометрический метод. Измеряя с большой точностью период кристаллической решетки при постоянной температуре, можно определить концентрацию растворенного элемента в твердом растворе, структурный тип образовавшегося раствора, а при распаде пересыщенного твердого раствора - установить закономерности кинетики процесса распада, обусловливающие в свою очередь свойства сплава. [44]

Температурное изменение разности входных токов носит такой же характер, как температурное изменение среднего входного тока: в ОУ со входными каскадами на биполярных транзисторах разность входных токов уменьшается с увеличением температуры, а в ОУ со входными каскадами на полевых транзисторах - возрастает. Вследствие неидентичности параметров транзисторов входного каскада разность входных токов ОУ может изменяться с относительным температурным коэффициентом ( ТК) в 1 5 - 2 раза большим, чем относительный ТК среднего входного тока ОУ. [45]

Страницы: 1 2 3 4