Дифференциальный коэффициент - передача - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Мало знать себе цену - надо еще пользоваться спросом. Законы Мерфи (еще...)

Дифференциальный коэффициент - передача

Cтраница 3


Если же помеха приложена одновременно ко всем парам схем, то в этом случае она не может превзойти величины ЛСД, в противном случае длинная цепь потеряет устойчивость. Действительно, если рабочая точка всех пар схем расположена между точками d и е, то дифференциальный коэффициент передачи К каждой пары окажется больше единицы.  [31]

32 Лавинный транзистор, включенный по схеме 03 ( а, и его выходные характеристики в области малых ( б и больших ( в токов. [32]

В дальнейшем напряжение / 7дэ меняется слабо, поскольку эмиттерный переход уже открыт и имеет малое сопротивление. Постоянство базового тока означает, что приращения А / к и А / э одинаковы, а следовательно, дифференциальный коэффициент передачи эмиттерного тока равен единице.  [33]

В реальной схеме диодного детектора при увеличении амплитуды входного напряжения Um средняя крутизна диода S возрастает. Это приводит к увеличению Sd и уменьшению Rd, а величина статического коэффициента усиления детектора й, увеличиваясь, стремится к единице. В результате этого дифференциальный коэффициент передачи напряжения детектора Ка увеличивается и также стремится к единице, что подтверждается графиками рис. 11.13, полученными с помощью теории экспоненциального детектора.  [34]

35 Зависимости напряжения включения тиристора от скорости увеличения подаваемого на него напряжения с учетом только барьерной емкости коллекторного перехода ( кривая / и только барьерных емкостей эмиттерных переходов ( кривая 2. [35]

Для него сумма дифференциальных коэффициентов передачи тока эмиттера транзисторных структур, составляющих тиристор, должна быть равна единице. Обычно тиристор включен в цепь, имеющую сопротивление, меньшее абсолютного значения отрицательного дифференциального сопротивления тиристора на переходном участке его ВАХ. Поэтому в период времени нарастания при тех же напряжениях токи, проходящие через тиристор в реальной схеме, превышают значения токов переходного участка ВАХ тиристора. При этом суммарный дифференциальный коэффициент передачи тока ти-ристорной структуры превышает единицу, что соответствует активному этапу включения тиристора. Если в это время отключить управляющий электрод, то тиристор самостоятельно перейдет в открытое состояние. Значит, длительность импульса тока управляющего электрода, необходимая для включения тиристора, должна быть больше времени задержки.  [36]

При переключении диодного тиристора из закрытого состояния в открытое из-за роста проходящего тока суммарный дифференциальный коэффициент передачи тока увеличивается. Одновременно уменьшение напряжения на коллекторном переходе вызывает уменьшение того же коэффициента. Поэтому соотношение (5.5) можно считать не только условием переключения тиристора из закрытого состояния в открытое, но и уравнением ВАХ на переходном ее участке. В действительности сумма дифференциальных коэффициентов передачи тока транзисторных структур, составляющих тиристорную структуру, во время переключения несколько превышает единицу.  [37]

Рассмотрим теперь коротко влияние обратного тока управляющего электрода на ВАХ р-п-р-п структуры в закрытом состоянии. Влияние этого тока, очевидно, противоположно рассмотренному выше влиянию прямого тока / с. Для оценки влияния обратного тока / о на ВАХ р-п-р-п структуры достаточно в (7.8) - (7.11) знак, стоящий перед слагаемыми, содержащими IG, изменить на противоположный. При обратном токе / о возрастают ток и напряжение переключения р-п-р-п структуры. Значение суммы дифференциальных коэффициентов передачи тока составных транзисторов, при котором происходит переключение структуры в открытое состояние, также возрастает.  [38]

При увеличении напряжения ( - t / K9) от нулевого значения ток коллектора сначала быстро увеличивается, а затем остается практически постоянным. & - / 6) и равны обратному току через переход коллектор-база. Этот ток при номинальном напряжении f / M, ном обозначается / кв и служит параметром транзистора. С помощью семейства коллекторных характеристик, точнее, участков характеристик, практически параллельных оси абсцисс, легко определить дифференциальный коэффициент передачи тока базы как отношение Р Д / к / А / б при UK3 const, который используется при расчете усилителей.  [39]



Страницы:      1    2    3