Статический коэффициент - передача - ток - база
Cтраница 1
Статический коэффициент передачи тока базы hgj giB - отношение постоянного тока коллектора к току базы. [1]
Значение статического коэффициента передачи тока базы определяется несколькими процессами, что в формуле (4.41) отражено соответствующими сомножителями и слагаемыми. [2]
 |
Включение транзистора по схеме с ОК ( в и схема для снятия входных и выходных вольт-амперных характеристик ( б. [3] |
Параметр Р называют статическим коэффициентом передачи тока базы биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ. [4]
Таким образом, значение статического коэффициента передачи тока базы определяется несколькими процессами, что в формуле (2.41) отражено соответствующими сомножителями и слагаемыми. [5]
 |
Схема ФПИ с интегрирующей цепью и транзисторным переключателем.| Эквивалентная схема заряда конденсатора ФПИ с интегрирующей цепью и транзисторным переключателем. [6] |
Кна-ток коллектора в режиме насыщения; Л21Э - статический коэффициент передачи тока базы в схеме с общим эмиттером; - с - постоянная времени коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эмиттером. [7]
Транзисторы для преобразователя могут иметь любой буквенный индекс, но желательно выбрать их с возможно большим статическим коэффициентом передачи тока базы. [8]
Транзисторы VT4, VT5, VT11, VT12, VT17 1 / Т78жела - тельно подобрать с большим статическим коэффициентом передачи тока базы. [9]
Ток, потребляемый от элемента G1 при наличии сетевого напряжения, меньше тока нагрузки в Л21Э раз ( Л21Э - статический коэффициент передачи тока базы транзистора VT1), что существенно продлевает срок службы элемента. [10]
По своим характеристикам приемник несколько уступает ранее рассмотренным; но это заметно только в том случае, когда транзисторы имеют минимальное паспортное значение статического коэффициента передачи тока базы. [11]
Полученное выражение (5.5) называется основным уравнением. Параметр р называется статическим коэффициентом передачи тока базы биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ. [12]
Между витками экрана необходимо прокладывать ленту из плотной бумаги. В стабилизаторе может быть использован любой транзистор средней или большой мощности с малым напряжением насыщения, малым начальным током коллектора и возможно большим статическим коэффициентом передачи тока базы. [13]
К недостаткам следует отнести, во-первых, противоречивые требования к значению сопротивления резистора R1 ( для уменьшения пульсации на выходе фильтра следует увеличивать сопротивление, а для повышения КПД фильтра - уменьшать), во-вторых, сильная зависимость параметров фильтра от температуры, времени, значения тока нагрузки, статического коэффициента передачи тока базы транзистора. В таких фильтрах обычно резистор R1 подбирают опытным путем. [14]
Страницы: 1