Наибольший коэффициент - передача
Cтраница 1
 |
Зависимости временных параметров диодно-транзисторных оптопар. [1] |
Наибольший коэффициент передачи по току k / ( до 100 и более) и наибольшее значение выходных токов и напряжений имеют оптопары с составным транзистором. [2]
 |
Микросхема МДТЛ на транзисторных структурах с разомкнутым эмиттером. [3] |
Наибольшим коэффициентом передачи тока базы Рдг обладает р-и-р-транзистор, образующийся в диоде на коллекторном переходе с разомкнутым эмиттером. При включении подобных структур во входную сборку ИМС ее модель принимает вид, показанный на рис. 7.17. Здесь входные элементы Д - Дз являются диодами, построенными на коллекторных переходах при разомкнутых эмиттерах. Эти p - n - p - транзисторы, обычно являющиеся паразитными, в данной ИМС выполняют полезную функцию: работая как эмиттерные повторители, усиливают входной ток, тем самым способствуя повышению нагрузочной способности ИМС. [4]
Этим достигается наибольший коэффициент передачи схемы совпадений. [5]
 |
Принципиальная схема блока УКВ Вега-312. [6] |
Для обеспечения наибольшего коэффициента передачи и наименьшего уровня шумов широкополосный входной контур ( L2, С1, С2) выполнен ненастраиваемым и имеет индуктивную связь с антенной. Связь входного контура с эмиттером Т1 - емкостная ( делитель из конденсаторов С1 и С2), что делает настройку блока более удобной. [7]
Оптопары с составным транзистором обладают наибольшим коэффициентом передачи тока, но наименьшим быстродействием, а наибольшее быстродействие характерно для диодно-транзисторных оптопар. [8]
 |
Режимы работы по постоянному току транзисторов. [9] |
Малый коэффициент нелинейных искажений при наибольшем коэффициенте передачи детектора достигается подбором величины напряжения смешения на диоде при заводской регулировке. Напряжение смещения снимается с переменного резистора У. [10]
 |
Схема дифференциального частотного детектора с расстроенными контурами.| Схема частотного детектора мостового типа ( дробного детектора. [11] |
Как правило, расчет ведут на наибольший коэффициент передачи при допустимом уровне нелинейных искажений. [12]
 |
Схема составного транзистора ( а и включение его по схеме с общим эмиттером ( б. [13] |
Составной транзистор чаще всего применяют, чтобы получить наибольший коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером. [14]
Из предыдущего рассмотрения видно, что для обеспечения наибольшего коэффициента передачи смесителя следует выбирать диод с минимальным значением проходной емкости. Требование минимальной емкости, однако, определяется не только этими соображениями. Дело в том, что проходная емкость диода является причиной характерных искажений формы изображения импульсных сигналов при стробоскопическом преобразовании. [15]
Страницы: 1 2 3