Cтраница 4
Вычислить кинетические коэффициенты (7.1.49) и (7.1.50) в представлении, где гамильтонианы подсистем Н диагональны. [46]
Определим кинетические коэффициенты 3.i a, УК - На поверхности кристалла имеются адсорбированные частицы. Адсорбционные частицы совершают тепловые колебания в трех направлениях: перпендикулярном к поверхности кристалла и двух параллельных ей. Пусть перемещение элементарной ступени происходит вследствие плоской диффузии в одном направлении. [47]
Поскольку кинетические коэффициенты, входящие в ( 20), зависят от температуры, это выражение определяет и температурную зависимость концентрации димеров в паровой и жидкой фазах. [48]
Эти кинетические коэффициенты адсорбции явно отличаются от коэффициентов, полученных при статических измерениях хемосорбции; мы уже обсуждали ранее смысл этого обстоятельства ( см. гл. [49]
Однако практически кинетические коэффициенты не рассчитываются. Строгих уравнений переносе в гетерогенных системах в литературе не имеется. Поэтому в работе приводятся результаты, полученные на основе кинетической теории. [50]
Если кинетический коэффициент обрыва цепей больше коэффициента их разветвления в ходе всей реакции ( &21 & 1з [ Р ] Р), то процесс носит стационарный характер. [51]
Величина кинетического коэффициента зависит от состояния фронта роста; она повышается с возрастанием шероховатости. В связи с этим различают два крайних случая роста: фронт роста представляет собой атомно-гладкую ( шероховатость минимальна) и атомно-шероховатую поверхность. Первому случаю соответствует тангенциальное нарастание слоев с характерными для него гранными формами роста, второму - нормальное нарастание слоев с негранными формами роста. В отличие от атомно-гладкой, атомно-шероховатая поверхность не ограничена числом активных мест присоединения ионов к поверхности. [52]
Значения кинетических коэффициентов в феноменологической теории берутся по результатам опыта. [53]
Вычисление кинетических коэффициентов для полупроводников. [54]