Край - полоса - поглощение
Cтраница 1
Край полосы поглощения в InSb при комнатной температуре [46, 26] представлен на фиг. [1]
Край полосы поглощения находится по положению длинноволнового порога возбуждения люминесценции [40], в определении которого имеется некоторая неопределенность. [2]
Длинноволновой край полосы поглощения на ( 0 25 0 03) эВ выше области сплошного поглощения свободными носителями тока, а ее интенсивность сильно зависит от степени легирования. Эта полоса обусловлена переходами между абсолютным минимумом в ( 000) и вышележащей подзоной. [3]
 |
Характер оптического пог. [4] |
Смещение края полосы поглощения имеет место и при изменении состава только за счет элементов. [5]
Спектроскопия края полосы поглощения и метод радиального распределения [193, 194] могут дать дополнительные сведения о дисперсности металлического катализатора, но для количественного определения размера частиц они непригодны. [6]
 |
Пропускание кристаллов сульфида кадмия ( а и аморфного селена ( б.| Коэффициент поглощения селенида кадмия для обыкновенного ( J и необыкновенного ( 2 лучей. [7] |
Положение края полосы поглощения этих стекол определяется относительным содержанием серы и селена в смешанных кристаллах. [8]
Форма края полосы поглощения определяется природой оптических переходов между верхним краем валентной зоны и нижней границей зоны проводимости. Если оба экстремума зон приходятся на одну и ту же точку зоны Бриллюэна, то происходят прямые переходы. [9]
Наличие краев полос поглощения может быть использовано для ослабления р-излучения. Обычно в качестве фильтра может быть использован элемент с порядковым номером на единицу меньше порядкового номера анода, однако для излучения Мо / С в качестве фильтра может быть использован не только ниобий, но и цирконий. Однако применение металлической фольги удобнее, так как получить равномерное покрытие подложки суспензией порошка очень трудно. [10]
По краю полосы поглощения для обеих модификаций Ее 1 025 эв, что на 0 1 эв превышает величину, найденную из кривых фотопроводимости. [11]
По краю полосы поглощения для обеих модификаций Е § 1 025 эв, что на 0 1 эв превышает величину, найденную из кривых фотопроводимости. [12]
Измерение положения края полосы поглощения является обычным методом изучения зависимости ширины запрещенной зоны от состава смешанных кристаллов. Оптические свойства смешанных кристаллов Ga ( As, P) особенно интересны, поскольку зависимость ширины запрещенной зоны от состава в этом случае можно наблюдать визуально: GaP оранжевого цвета; кристаллы с равным количеством атомов Р и As темно-красные, а кристаллы, в которых преобладает мышьяк, непрозрачны. [13]
Вдали от края полосы поглощения / Ci незначительно ( &0 - &0) и определяющую роль играет поглощение свободными носителями. [14]
Длина волны края полосы поглощения, как это вытекает из рис. 11.28, лежит между длинами волн а и ( 3 фильтруемого излучения, что показано стрелками. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5