Cтраница 2
В действительности атомы кристалла не остаются неподвижными, но колеблются около своих равновесных положений. [16]
Тепловые колебания атомов кристалла также искажают форму его потенциальных поверхностей. Эти искажения вызывают уменьшение электропроводности почти всех металлов при повышении температуры. И наоборот, пр и очень низких температурах потенциальные поверхности могут стать почти плоскими. Для некоторых металлов ( а также для большинства полупроводников и изоляторов) наблюдается увеличение электропроводности при повышении температуры. Рассматриваемая теория позволяет легко объяснить эти экспериментальные данные. Хотя, как указано выше, дефор. В, способных обеспечивать проводимость; это и объясняет малую проводимость указанных кристаллов при низких температурах. Повышение температуры увеличивает вероятность появления дополнительных электронов из потенциальных ям вблизи атомных ядер. В зависимости от того, насколько велика энергия, необходимая для выхода электронов из этих потенциальных ям, повышение температуры может приводить к увеличению или к уменьшению наблюдаемой проводимости. При этом стоит вспомнить о больцмановском распределении по энергиям, а та кже об относительной роли энтропийного и энергетического факторов при определении направления всякого изменения. [17]
Упорядоченность расположения атомов кристалла заключается в том, что атомы ( или молекулы) размещаются в узлах геометрически правильной пространственной решетки. [18]
Рассмотрим поляризацию атомов кристалла, вызванную полями двух небольших ( пробных) зарядов ei и ег, расположенных в узлах решетки г и г 2 ( обозначения см. в [5]) при несмещенных ядрах. [19]
Взаимное влияние атомов кристалла наиболее сильно сказывается на внешних оболочках. Поэтому по мере приближения к атомному ядру ширина разрешенных зон уменьшается и-зоны постепенно вырождаются в отдельные уровни аналогично изолированному атому. [20]
Кинетическая энергия атомов кристалла зависит от температуры. [21]
ПРИМЕСНЫЙ АТОМ - атом кристалла, хим. природа К-рого отлична от хим. природы осн. Лих темп - pax делокализуются и превращаются в квази-стицы, практически свободно движущиеся через кристалл. [22]
Энергия валентным электронам атомов кристалла может быть сообщена через: а) тешщвые кванты ( фононы), излучаемые при тепловых колебаниях решетки - б) цветовые кванты - ( фотоны) - в) кванты или потоки атомарных частиц и г) путем воздействия на вещество достаточно сильным электрическим полем. [23]
Рассмотрим теперь движение атомов кристалла с точки зрения квантовой механики. Это оказывается существенным при изучении свойств кристалла при низких температурах и при рассмотрении взаимодействия электронов с колебаниями решетки. [24]
Однако тепловые колебания атомов кристалла разрушают некоторую часть этих двухэлектронных связей, и освобожденные электроны в качестве носителей тока будут двигаться в направлении приложенного положительного напряжения. [25]
Скорость взаимодействия между атомами кристалла и частицами травителя должна быть пропорциональна концентрации атомов кристалла и частиц травителя. Концентрация атомов зависит от природы материала и является величиной постоянной для данного полупроводника. [26]
Однако связи между атомами кристалла полупроводника могут быть сравнительно легко нарушены, например при его налревании. [27]
Вследствие теплового движения сами атомы кристаллов находятся в движении. Их перемещения могут рассматриваться как ряд колебаний с энергией йсо, спектр которых со ( q) ( где q - волновой вектор) является количественным и характерным для каждого кристалла. [28]
N задает расположение всех атомов кристалла, т.е. структуру кристалла. [29]
Рассмотренные примеси отличаются от атомов кристалла только на один валентный электрон. При этом их энергия ионизации достаточно мала, и можно считать, что вся примесь при обычной температуре ионизирована. Увеличение концентрации электронов и дырок равно концентрации атомов введенной примеси. Переходные и благородные металлы являются примесями с большой энергией ионизации и образуют глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника. Эти глубокие уровни выполняют роль центров генерации, рекомбинации и захвата носителей и оказывают влияние на время жизни носителей, о котором будет сказано ниже. [30]