Атом - основной материал
Cтраница 1
Атомы основного материала ( германия или кремния) на этом рисунке не показаны. Здесь же показаны дырки и электроны, внесенные примесными атомами. В результате образуется слой, не имеющий свободных носителей, называемый обедненным слоем. Даль-Егйшему переходу дырок и электронов от более удаленных атомов препятствует электрическое поле возникающего при этом объемного аряда. Оно отталкивает дырки влево, а электроны вправо, препятствуя уходу новых дырок из области р и новых электронов из области я. На рис. 5.6, б показано распределение объемного заряда. При атом ширина металлургического перехода 0 1 мкм предполагается пренебрежимо малой по сравнению с шириной обедненного слоя около 1 мкм. По оси ординат отложена плотность объемного заряда. [1]
Следовательно, при этом методе не растворяются атомы основного материала в зоне дислокаций, но становится видимой атмосфера чужеродных атомов вокруг дислокаций, и таким образом метод является косвенным методом исследования. [2]
Пусть имеется электронный полупроводник, в котором, как известно, наличие свободных электронов обусловлено двумя факторами: ионизацией донорных атомов и ионизацией атомов основного материала ( см. стр. [3]
 |
Пять механизмов радиационного воздействия. Пересечения на координатной сетке указывают равновесное положение атомов. [4] |
При процессах деления образуются различные чужеродные атомы ( осколки), действие которых также способствует изменению свойств. В некоторых материалах подобный эффект может быть получен вследствие, превращения атомов основного материала в атомы другого элемента. Это касается, например, тантала, который превращается в вольфрам под воздействием тепловых нейтронов. Пятый механизм, который может способствовать изменению свойств в отдельных участках вследствие интенсивной ионизации, вызывается действием высокой температуры термических пиков. [5]
Опыт работы этих производств показывает, что в большинстве случаев нормальное проведение технологического процесса существенно зависит от того, насколько хорошо решена задача тонкой очистки газа или воздуха от аэрозолей. В качестве примера можно привести следующий: при получении некоторых полупроводниковых материалов содержание посторонних примесей не должно превышать одного атома на 100 млн. атомов основного материала. [6]
Проводимость, обусловленную наличием примесей, называют примесной проводимостью. Концентрация примесных атомов в германии, используемом для изготовления диодов, составляет в большинстве случаев от 10 - 6 до 10 - 8 числа атомов основного материала. [7]
Наиболее часто плазменное напыление используется для нанесения тугоплавких соединений. В этом и других случаях материал покрытия должен обеспечивать защиту от разрушения и окисления основного материала заготовки, хорошую прочность и сцепление с основным материалом, минимальную диффузию атомов основного материала и покрытия, ограниченную летучесть основного материала и стойкость при циклической термической нагрузке. [8]
Такие материалы необходимы, например, для атомной и полупроводниковой техники, квантовой электроники, радиотехники, фотоэлектронных и электроннолучевых приборов и др. Содержание примесей в этих материалах в некоторых случаях ограничивается одним атомом на десять миллиардов атомов основного материала. [9]
Основной механизм проникновения примесного атома в кристаллическую решетку состоит в последовательном перемещении по вакансиям ( пустым узлам) решетки. Возможны также, хотя и менее вероятны, перемещения по междоузлиям и обмен местами с соседними атомами. Следовательно, для получения сильнолегированных областей и ( или) сокращения времени диффузии необходимо иметь высокую концентрацию вакансий в поверхностном слое пластины. С достигает 1021 см-3 за счет поверхностного испарения атомов, диффузии атомов основного материала из глубины пластины к ее поверхности ( что эквивалентно диффузии вакансий от поверхности вглубь), а также смещения атомов в междоузлия вследствие тепловых колебаний решетки. [10]
Использование термодинамики для расчета химических равновесий, описанное в предыдущих главах, относилось к газовым реакциям и реакциям с участием чистых индивидуальных веществ. Между тем и в природе и в технике практически никогда не приходится иметь дело с чистыми веществами. Химически чистые вещества представляют собой лишь предельное состояние, приближение к которому требует больших усилий. Применяемые в новых отраслях техники сверхчистые металлы и полупроводники содержат по несколько атомов примесных элементов на миллион атомов основного материала. [11]
Страницы: 1