Cтраница 1
Атомы селена, конденсируясь, образуют гексагональную кристаллическую решетку. Подобный кристалл состоит из длинных спиральных цепочек, образованных атомами. В такой цепочке атомы селена связаны друг с другом прочными гомеополярными силами, в то время как сами цепочки связаны друг с другом значительно более слабыми ван-дер-ваальсовыми силами. [1]
Атомы селена в диселенокарбама-тах, как и следовало ожидать, нуклеофильны. [2]
Проводимость селена в зависимости от давления на критической изотерме. Переход изолятор-металл, соответствующий. рс 0 425, показан стрелкой. [3] |
Атомы селена имеют электронную конфигурацию 4s2 4р4 с шестью валентными электронами. Классически доступный радиус ( 67) с поправкой на сродство остаточного иона к электрону ( оцененное по изоэлектронному атому мышьяка, А 0 8 эВ), равен Ra 1 6 А. [4]
Атомы селена в диселенокарбама-тах, как и следовало ожидать, нуклеофильны. [5]
Атом селена, обладая значительной электроотрицательностью, образует соединение с водородом, а хром, будучи металлом, - не образует. [6]
Каждый атом селена связан с тремя атомами рения. [7]
Сродство атома селена или теллура к двум электронам составляет около - 100 ккал / г-атом ( ср. [8]
Сродство атома селена или теллура к двум электронам составляет около - 100 ккал / е-атом ( ср. [9]
Очевидно, атом селена способен стабилизовать карбанион и понижать основность замещенного илида по сравнению с незамещенным. [10]
Межатомные расстояния и валентные углы в структурах Se, Те, Ро. [11] |
При этом каждый атом селена одной цепи окружен четырьмя соседями из трех соседних цепей на расстоянии г2 3 426 А, которое меньше нормального вандерваальсова расстояния. [12]
При этом каждый атом селена одной цепи окружен четырьмя соседями из трех соседних цепей на расстоянии г2 3 426 А, которое меньше нормального вандерваальсова расстояния. [13]
В процессе кристаллизации атомы селена должны образовать правильную кристаллическую решетку. Они формируются в длинные спиральные цепочки, ориентированные параллельно друг другу. [14]
Частоты валентных колебаний v структур - с ных группировок AsX3 / 2 и As УЗ tf a также Ge Х4 / 2 и Ge Y4 ( где X - S, Se, Те, У - С1, Вг, I ЬОО. [15] |