Cтраница 2
Изотоп какого элемента получится в результате последовательного распада атома тория Th, при котором образуется 5 а - и 5 р-частиц. [16]
Соединение содержит три кислотных остатка и ОН-группу, связанную с атомом тория. [17]
При длительной работе вольфрам рекристаллизуется, кристаллы становятся крупнее и диффузия атомов тория затрудняется. [18]
Уменьшение работы выхода связано с тем, что поверхностные силы превращают каждый атом тория в диполь, отрицательный полюс которого обращен к вольфраму. Совокупность таких диполей образует на поверхности двойной слой, электричское поле которого на некотором участке облегчает испарение электрона. [19]
Например, аюм урана в результате радиоактивного распада превращается в два атома - атом тория и атом гелия. [20]
Атом ванадия в структуре Th3 ( VO4) 4 обладает тетраэд-рической координацией, атом тория окружен восемью кислородами, из которых четыре расположены близко и четыре удаленно. [21]
Это допущение означает, что влияние, оказываемое на работу выхода р каждым атомом тория, вновь появляющимся на поверхности вольфрама, не зависит от наличия или отсутствия на той же поверхности соседних атомов тория и от густоты их расположения. [22]
Твердые соли с неорганическими анионами обычно содержат 4 - 12 молекул воды на 1 атом тория. [23]
Второго слоя атомов тория на первом слое не наращивается потому, что силы сцепления атомов тория между собой гораздо слабее, чем силы сцепления между вольфрамом и торием, и второй слой атомов тория постоянно испаряется. После активировки мономолекулярный слой атомов тория на вольфраме удерживается и при более низких температурах и является причиной повышенной эмиссии активированной торированной нити. Между верхним слоем молекул вольфрама и слоем молекул тория образуется двойной электрический слой, создающий ускоряющее электроны поле, подобное полю контактной разницы потенциалов и чрезвычайно облегчающее выход электронов из нити. Это происходит вследствие того, что торий более электроположителен, чем вольфрам, и электроны тория сдвигаются в сторону вольфрамовой подкладки. [24]
Оксихинолин образует с торием два клешневидных соединения, содержащих 4 или 5 М CgH7ON на атом тория. [25]
Для образования поверхностной пленки атомов тория производится прокаливание при Т 2000 - 2300 К-При Т 2300 К скорость испарения атомов тория с поверхности превышает скорость их подхода к поверхности в результате диффузии. [26]
Падение эмиссии в конце срока службы определяется в основном истощением запаса тория в катоде, а также ухудшением условий диффузии атомов тория на поверхность из-за роста кристаллов проволоки. [27]
Кристаллическая решетка a - ThSi2, по Брауэру и Митиусу ( 1942 г.. [28] |
Поскольку расстояния между атомами кремния в цепи и между цепями одинаковы, получается трехмерный каркас из этих атомов, в гнездах которого расположены атомы тория. Из анализа межатомных расстояний следует, что ThSi2 обладает структурой, промежуточной между дисилицидами переходных металлов и CoSi2 в котором преобладают неполярные связи. [29]
Торированный катод очень чувствителен к остаткам газа, всегда имеющимся в приборе, так как положительные ионы, образующиеся при ионизации газа, бомбардируют поверхность катода и сбивают с нее атомы тория. [30]