Cтраница 2
Первые три вещества при комнатной температуре - твердые кристаллы с высокими точками плавления и кипения и большими значениями теплот плавления и парообразования, а последующие три вещества при комнатной температуре - газы; им отвечают низкие точки плавления и кипения и малые значения теплот плавления и парообразования. Ярко выраженное, изменение свойств при переходе от A1F3 к SiF4 нельзя с полной очевидностью приписать изменению степени окисления, состава ( числа атомов фтора на один атом элемента третьего периода) или электроотрицательности атома элемента третьего периода. [16]
Первые три вещества при комнатной температуре - твердые кристаллы с высокими точками плавления и кипения и большими значениями теплот плавления и парообразования, а последующие три вещества при комнатной температуре - газы; им отвечают низкие точки плавления и кипения и малые значения теплот плавления и парообразования. Ярко выраженное, изменение свойств при переходе от A1F3 к SiF4 нельзя с полной очевидностью приписать изменению степени окисления, состава ( числа атомов фтора на один атом элемента третьего периода) или электроотрицательности атома элемента третьего периода. [17]
Поэтому в заполненном валентном уровне атомов элементов второго периода следует ожидать большого сопротивления заметным отклонениям углов между связями от предпочтительного тетраэдрического угла. Их углы между связями редко отклоняются от 109 5 больше чем на несколько градусов. У атомов элементов третьего и последующих периодов валентный уровень значительно более емкий и теоретически может содержать максимально девять пар электронов. Однако известно, что атомы элементов третьего периода ( Na-Ar) никогда не содержат более шести пар электронов. Ранее уже было показано, что пары электронов будут иметь максимум вероятности нахождения в вершинах октаэдра, и, очевидно, можно предположить, что они будут эффективно заполнять доступное пространство третьего квантового уровня. Здесь важно еще отметить, что когда атом такого элемента содержит только четыре пары электронов на валентном уровне, их орбитали могут быть сжаты до образования прямых углов, по-видимому, из-за большего объема, доступного для атомов элементов третьего и последующих периодов. Теперь можно объяснить уменьшение углов между связями в соединениях СИЦ ( 109 5), NH3 ( 107 3) и Н2О ( 104 5), как возникающее из последовательного замещения связывающих электронных пар на неподеленные пары. [18]