Атом - галлий
Cтраница 2
Сколько протонов и нейтронов содержится в атомах галлия каждого типа. [16]
В случае же введения в кристалл германия примеси атомов галлия, имеющих во внешнем слое по 3 электрона, атомы галлия используют их все для образования трех ковалентных связей с 3 соседними атомами германия. [17]
 |
Модель образования электронной примесной проводимости в кремнии и германии. [18] |
Если вводить в кристаллическую решетку германия ( кремния) атом галлия или другого элемента IIIA подгруппы, то у атома замещающей примеси не хватит одного электрона для осуществления четырех нормальных связей с соседними атомами германия. Одна из связей будет незаполненной ( одноэлектронной), но атом галлия и смежный с ним атом германия будут электронейтральными. Однако при небольшом возбуждении электрон из какой-либо нормальной соседней связи между атомами германия может перейти в место незаполненной связи. Таким легированием германия ( кремния) элементами IIIA подгруппы можно повышать концентрацию дырок, которые станут основными носителями подвижных зарядов, а электроны - неосновными. Уже при невысокой температуре электроны из валентной зоны переходят на этот акцепторный уровень Еа, оставляя дырку в валентной зоне. Полупроводники с избытком дырок ( с акцепторными примесями) называются дырочными или р-типа полупроводниками ( от лат. [19]
 |
Модель образования электронной примесной проводимости в кремнии или в германии. [20] |
Если вводить в кристаллическую решетку германия ( кремния) атом галлия или другого элемента 1ПА - под-группы, то у атома замещающей примеси не хватит одного электрона для осуществления четырех связей с соседними атомами германия. Одна из связей будет незаполненной ( одноэлектронной), но атом галлия и смежный с ним атом германия будут электронейтральными. Однако при небольшом возбуждении электрон из какой-либо соседней связи между атомами германия может перейти в место незаполненной связи. [21]
Одна из них соответствует высокочастотному колебанию, в котором атомы галлия смещаются, а атомы мышьяка покоятся. При этом чередующиеся атомы галлия движутся в противоположных направлениях. Вторая частота соответствует низкочастотному колебанию, в котором смещаются только атомы мышьяка. Различие частот возникает лишь из-за небольшого различия масс обоих сортов атомов. Частоты этих колебаний были вычислены с хорошей точностью. [22]
Если бы размещение атомов галлия было строго упорядоченным, то 2N атомов галлия располагались бы по 2N узлам, а незаполненные узлы играли бы роль свободных междоузлий. [23]
Такое незакономерное изменение металлических свойств связано с тем, что в атомах галлия, индия и таллия в предпоследнем электронном уровне содержится по 18 электронов. [24]
Если в собственно полупроводник ввести акцепторную примесь, например в германий ввести атом галлия, у которого лишь три валентных электрона, то к нему от германия перейдет один из электронов, и в валентной зоне появится дырка. Условием такого перехода является близость энергетического уровня примеси, располагающегося в запрещенной для германия зоне, к верхнему уровню валентной зоны германия. Концентрация дырок в этом случае становится преобладающей, и собственно полупроводник превращается в примесный полупроводник / типа, или в р-полупроводник. [25]
Если в собственно полупроводник ввести акцепторную примесь, например в германий ввести атом галлия, у которого лишь три валентных электрона, то к нему от германия перейдет один из электронов, и в валентной зоне появится дырка. Условием такого перехода является близость энергетического уровня примеси, располагающегося в запрещенной для германия зоне, к верхнему уровню валентной зоны германия. Концентрация дырок в этом случае становится преобладающей, и собственно полупроводник превращается в примесный полупроводник р-типа, или в р-полупроводник. [26]
Примерно такое же количество кобальта растворяется в V3Ga, причем его атомы замещают атомы галлия. Растворимость титана и совместно с ним хрома в VsGa невелика. [27]
Как видно, тс-связь может возникнуть между предпоследней, 3d - op - битой атома галлия, и последней, 4с ( - орбитой атома селена. [28]
 |
Адсорбция галлия в поверхностном слое.| Адсорбция сурьмы в поверхностном слое. [29] |
Зная Гоа и Г ь, мы рассчитали доли поверхностного мономолекулярного слоя, занятые атомами галлия и сурьмы. [30]
Страницы: 1 2 3 4