Атом - акцептор
Cтраница 2
Координационная связь может существенно изменить внутрикристал-лические поля в области атома акцептора. [16]
О или N не способны объединить свою1 электронную пару с атомом акцептора в одну систему. Эти соединения не взаимодействуют с - Si - активного центра. [17]
Аналогичное смещение Lij может происходить и в сферах, расположенных дальше от атома акцептора. Причем эта зависимость оказывается довольно сложной, так как литий сдвигается не навстречу атомам германия, а может частично проникать между ними. [18]
В кристалле примесных полупроводников все атомы примесей ионизированы: атомы доноров заряжены положительно, атомы акцепторов - отрицательно. Основные носители зарядов в тг-по-лупроводниках - электроны, в - полупроводниках - дырки. Однако технологический процесс получения примесных полупроводников не идеален: при изготовлении вместе с нужными примесями случайно вносится некоторое количество загрязняющих примесей иного рода. [19]
Это вполне обоснованно, так как измеряется функция сил, действующих между протоном и атомом акцептора, а они должны быть достаточно велики. Имеющиеся данные об изменениях энтальпии всегда указывают на образование очень сильных связей ( 11 - 15 ккал / моль), а данные рентгенографических измерений во многих случаях подтверждают, что расстояния Х - - Y аномально малы. Принято считать, что спектр, в котором не наблюдается полос ОН, но имеется значительное диффузное поглощение в низкочастотной области, повышающее общий уровень фона, соответствует симметричным водородным связям с одним минимумом на кривой потенциальной энергии. Первый из указанных выше типов спектра относят к несимметричным связям с двойным минимумом. В этом случае сами расстояния X - - - Y не являются удобным критерием силы связи, так как известны несимметричные связи О - - Н - - О с меньшими расстояниями между атомами, чем в случае некоторых симметричных связей. [20]
Если NgNa, то при T-Q К все акцепторные уровни заполняются электронами, перешедшими с донорных уровней, и атомы акцепторов превращаются в отрицательные ионы. При этом образуется такое же число положительных донорных ионов, а число нейтральных атомов доноров уменьшается до Ng-Na. При повышении температуры, именно, эти атомы будут отдавать электроны, обусловливающие электронную проводимость. Поэтому разность Ng - Л; следует считать эффективной концентрацией доноров. При NaNg получаем полупроводник / 7-типа с эффективной концентрацией акцепторов, равной Л 0 - Ng. Если Na-Ng, то эффективная концентрация равна нулю, а полупроводник называется компенсированным. Он имеет такую же концентрацию свободных носителей, как и собственный. [21]
Важной особенностью донорно-акценторной связи является то, что при ее образования всегда увеличивается положительный заряд на атоме донора и отрицательный - на атоме акцептора. Поэтому образование ковалентной связи по такому механизму возможно только в случае ковалентной полярной связи. [22]
В результате теплового возбуждения акцепторного полупроводника один из валентных электронов соседних атомов Si может нарушить валентную связь и заместить свободный энергетический уровень ( заполнить валентную связь) вблизи атома акцептора. В результате такого перехода вблизи соседнего атома, которому ранее принадлежал рассматриваемый электрон, образуется дырка, а атом акцептора превращается в неподвижный отрицательно заряженный мок. Следовательно, в процессе ионизации акцепторов образуются подвижные носители лишь одного знака - дырки. [23]
 |
Изменения зарядов иа атомах 0С Н группы СОН спиртов и иа ионе Вг - в зависимости от расстояния Ян Вг - при образовании комплексов этиловым ( / и трихлорэтило-вым ( 2 спиртами. [24] |
Результаты исследования изменения заряда на ионах и атомах С, О, Н группы СОН спиртов при комплексообразовании вместе с соответствующими потенциальными кривыми представлены на рис. 5.13. Вплоть до расстояния примерно 7 а.е. заряд на ионе практически не меняется, затем наблюдается резкое уменьшение этого заряда, связанное с переносом его на атомы акцептора, т.е. возникают обменные эффекты и идет образование собственно ион-молекулярной связи. [25]
Кристаллическая решетка дырочного полупроводника изображена на рис. 9.5 а. Атом акцептора замещает в решетке атом основного вещества. [26]
Если же четырехвалентный германий содержит примеси трехвалентных бора ( В), или индия ( In), или алюминия ( А1), то их атомы отнимают электроны от атомов германия и в последних образуются дырки. Атомы акцептора, захватывая электроны, сами заряжаются отрицательно. [28]
Теперь он лишь наполовину обладает той электронной парой, которая раньше принадлежала ему полностью. Наоборот, атом акцептора теперь приобретает избыточный отрицательный заряд. [29]
В месте внедрения атома донорной примеси появляется неподвижный положительный заряд, так как электрон, отданный ею в зону проводимости, перестает компенсировать положительный заряд ядра. Аналогично в месте внедрения атома акцептора появляется неподвижный отрицательный заряд. [30]
Страницы: 1 2 3 4