Выбитый атом

Cтраница 2

Основной количественной характеристикой процесса ионно-плазменного ( катодного) распыления является коэффициент распыления S - количество выбитых атомов из поверхности мишени одной бомбардирующей частицей. [16]

Характеристика газового разряда. [17]

Основной количественной характеристикой процесса ионно-плазменного ( катодного) распыления является коэффициент распыления 5 - количество выбитых атомов из поверхности мишени одной бомбардирующей частицей. [18]

Зависимость коэффи. [19]

Основным параметром, характеризующим процесс распыления, является коэффициент распыления / Ср, равный числу выбитых атомов, приходящихся на один ион, упавший на мишень. На рис. 2.2 в качестве примера показана зависимость / Ср от энергии бомбардирующих ионов Еи для меди. Последующее увеличение Еи вызывает падение / Ср. Напыление пленок ведут обычно в области, показанной на рис. 2.2 штриховкой. [20]

При облучении вещества электронами энергия отдается атомами малыми порциями, недостаточными для того, чтобы первично выбитый атом мог вызвать дальнейшие смещения. Таким образом, в результате рассеяния электронов могут создаваться лишь одиночные дефекты [ пары Френкеля - вакансия и межузельный атом ( см. гл. Облучение вещества - лучами по результатам близко к облучению электронами. Это происходит потому, что у-лучи взаимодействуют с атомами облучаемого вещества не непосредственно, а через первоначальное образование быстрых электронов, которые в свою очередь воздействуют на атомы через упругие столкновения. Особенностью уоблучения является то, что благодаря малому поглощению в веществе глубина проникновения у-лучей и, следовательно, глубина повреждения вещества существенно больше, чем в случае облучения пучком электронов. Разумеется, при этом интенсивность воздействия соответственно меньше. [21]

Модель радиационных повреждений, производимых при соударении одного нейтрона с атомами решетки.| Схема профиля силового барьера, преодолеваемого движущейся дислокацией за счет термомеханической активации. [22]

Причиной дисбаланса вакансии и межузельных атомов в таких обедненных зонах является проявление процессов фокусирования и каналирования выбитых атомов из узлов решетки. [23]

Оптические характеристики порошка олпвпнового базальта. [24]

Однако, когда поверхность сложная, содержит много выступов, как в случае свободно упакованных порошков, большая часть выбитых атомов перехватывается соседними выступами и прилипает к ним. [25]

Зависимость коэффициента распыления Rp от энергии иоиов аргона.| Влияние на Rp природы материала распыляемой мишени. [26]

Здесь / ХА - коэффициент, учитывающий агрегатное состояние мишени; т - масса налетающего иона; т2 - масса выбитого атома мишени; Е - энергия иона; h ( E) - средняя длина свободного пробега иона в материале мишени. [27]

Характерно уменьшение газовыделения по механизму выбивания по сравнению с газовыделением при обычных температурах ( см. рис. 1 2), что вызвано уменьшением постоянной выбивания вследствие обратного осаждения выбитых атомов. [28]

Важным событием, предшествовавшим синтезу менделевия, была разработка метода, который в литературе чаще всего называют методом отдачи, а реже, но правильнее - методикой сбора выбитых атомов. [29]

Таким образом, можио предположить, что облучение деформированной стали дейтонами, как и радиационный захват нейтронов, приводят к радиационному отжигу мартенсита деформации вследствие локального разогрева области коло ( первично выбитого атома, что подтверждает гипотезу образования тепловых пиков. [30]

Страницы: 1 2 3 4