Cтраница 3
Так как любая граница фаз представляет собой энергетический барьер для диффундирующих атомов, в многослойных покрытиях скорость диффузии ниже, чем в однослойных. [31]
Абсорбционный метод основан на изучении поглощения диффузионной средой корпускулярного излучения диффундирующих атомов, что дает возможность судить о глубине их проникновения. В зависимости от характера излучения, испускаемого радиоактивным изотопом, измерение активности и расчет коэффициента диффузии производят различными способами. [32]
Абсолютная величина ДУт значительно меньше AVf, так как в узловой точке диффундирующий атом испытывает сильное сжатие. Опыт подтверждает это предположение. [33]
Теоретически процессами, активизирующимися при высоких температурах, могли бы быть переходы диффундирующих атомов на другие, обычно большие расстояния, чем в случае основного объемного механизма диффузии. [34]
Существующая теория диффузии примесей в полупроводниках хорошо удовлетворяет целям расчета, если концентрация диффундирующих атомов примеси меньше эффективной плотности квантовых состояний в соответствующей разрешенной зоне. В этом случае атомы примеси в решетке полупроводника находятся на больших расстояниях друг от друга, и их взаимодействием в первом приближении можно пренебречь. При сильном легировании кроме взаимодействия атомов примеси с атомами основного вещества и со структурными дефектами может проявляться также взаимодействие между самими легирующими атомами. [35]
Изучение самодиффузии, очевидно, возможно только с помощью радиоактивных изотопов, так как диффундирующий атом ничем не отличается от остальных. Поэтому самодиффузия представляет собой выравнивание изотопного состава. [36]
Распределение концентрации. [37] |
По мере уменьшения длительности второй стадии диффузионного процесса по сравнению с первой результирующее распределение диффундирующих атомов примеси приближается к распределению по закону дополнительного интеграла ошибок. Подобная же оценка при / ( 0 1 показывает, что распределение концентрации также с точностью около 5 % совпадает с распределением по закону Гаусса. [38]
В плотноупакованных структурах часто осуществляется первый из этих механизмов - ва-кансионный, а если объем диффундирующего атома невелик - междо-узелъный. Поскольку элементарный диффузионный акт является термически активированным, температурная зависимость коэфф. В однокомпонентных структурах самодиффузионное перемещение атомов характеризуется энергией активации процесса, сравнимой с энергией сублимации. Наличие дефектов структуры реального кристаллического тела типа дислокаций, межзеренных границ ( см. Границы зерен), дефектов упаковки, свободных поверхностей и др. может привести к увеличению диффузионной проницаемости, так как диффузионная подвижность атомов вдоль дефектов повышена сравнительно с подвижностью в бездефектном объеме кристалла. Броуновская ( неупорядоченная) диффузионная миграция микроскопических сферических частиц посторонней фазы в объеме жидкости определяется коэфф. [39]
Из выражения (1.66) следует, что диффузионное уширение линий в твердых телах зависит от направления движения диффундирующего атома по отношению к направлению импульса гамма-кванта. [40]
Высота потенциального барьера зависит от сил связи атома в решетке, а значит, от природы диффундирующего атома и кристалла. При перескоке в течение какого-то весьма короткого времени атом находится в активированном состоянии и, следовательно, в значительной степени отличается от других атомов в решетке. [41]
IBVI возможны такие случаи, когда концентрация вакансий, а следовательно, и D зависят от концентрации диффундирующих атомов. [42]
Ограничимся сначала простейшим случаем, когда можно принять, что единственной движущей силой направленной диффузии является градиент концентрации диффундирующих атомов, и рассмотрим изотропное тело, все участки которого находятся в одинаковых ( ие считая не-одпородпостей состава) физических условиях. [43]
Как было установлено с помощью 64Си, окисление меди идет путем диффузии меди через пленку окиси меди и окисления диффундирующих атомов. [44]
С кинетической точки зрения коэффициент диффузии D интерпретируется как среднеквадратичное расстояние перескока, деленное на время перескока для каждого диффундирующего атома. [45]