Межслоевой атом

Cтраница 1

Межслоевые атомы и СН-радикалы образуются, по-видимому, при возникновении мезофазы. [1]

С ростом количества удаляемых межслоевых атомов и радикалов происходит увеличение числа находящихся в состоянии вязкого течения гексагональных плоскостей, приближающихся в результате взаимного перемещения к состоянию трехмерного упорядочения. Перемещение углеродных плоскостей в направлении упорядочения может происходить в результате термически активируемой ползучести, которая вызва. [2]

Зависимость Z. n от g. [3]

Представление о том, что при нагревании удаляются межслоевые атомы углерода и углеводородные радикалы, подтверждается тем, что в то время как у негра-фитированного материала сорбции брома не происходит, у частично графитированного материала наблюдается сильное поглощение брома. [4]

Зависимость р от температуры термообработки. [5]

К числу наиболее существенных дефектов, нарушающих графитовую решетку, следует отнести межслоевые атомы углерода и СП-радикалы, а также вакансии и поры. [6]

По Брунауэру и Гринбергу [56], решетки с мотивом 2: 1 имеют состав Ca4Si6O18, между слоями находятся остаточные или межслоевые атомы кальция и молекулы воды. Предполагается, что групп SiOH может быть больше, чем предусматривается формулой. Кристаллы имеют вид пластинок, удлиненных вдоль оси Ь, параллельно цепи и спайностью по ( 001) плоскости слоев. [7]

Модель неграфитирующегося стекло-углерода. [8]

Наблюдения под микроскопом показывают, что между растущими ориентированными пачками слоев и, по-видимому, между слоями всегда сохраняются области неориентированного состояния вещества. Они являются, вероятно, основной причиной появления описанных ниже межслоевых атомов углерода и СН-радикалов. [9]

Как видно из рис. 14 - 9, при значениях g примерно до 0 5 - 0 6 значения La сохраняются в интервале 10 - 15 нм. Мейера [14-8], это подтверждается тем, что в первой стадии графитации удаляются межслоевые атомы без заметного роста углеродных слоев. С дальнейшим ростом g резко увеличивается La - до нескольких сотен нанометров. [10]

Зависимость р от температуры термообработки. [11]

Указанное несоответствие в определенной степени устраняется, если предположить, что при графнтации происходит последовательное дискретное исчезновение дефетков, нарушающих трехмерную структуру графита. К числу таких дефектов можно отнести: алифатические углерод-углеродные поперечные связи, отсутствие атомов углерода в Слоях ( вакансии), искривления слоев, межслоевые атомы углерода и радикалы, ромбоэдрическая модификация графитовой решетки, внутрикристал-лические поры, дислокационные сетки. Последние обнаруживаются после достижения размеров углеродных плоскостей в несколько десятков нанометров. [12]

Страницы: 1