Напыляемый атом

Cтраница 1

Напыляемые атомы металла в вакууме движутся прямолинейно, сталкиваются с подложкой и прилипают к ней. При этом, однако, на подложку попадают и атомы газа ( например, кислорода), которые неизбежно присутствуют в вакууме, в результате эти атомы будут присутствовать и в напыляемой пленке, поэтому ее свойства оказываются существенно зависящими от степени вакуумирования и наличия остаточного газа того или иного сорта. [1]

Не исключено, что в некоторых благоприятных условиях, препятствующих поверхностной миграции атомов металла ( например, в зависимости от природы и микрорельефа изучаемой поверхности), может быть получено и более высокое разрешение. Но тенденция напыляемых атомов к агрегированию всегда будет проявляться в большей или меньшей степени, так что наиболее универсальными в отношении повышения разрешения должны быть приемы, ослабляющие эту тенденцию. По-видимому, здесь может быть достигнуто разрешение около 10 А, однако этот вопрос требует уточнения, е) Реплики с извлечением. К определению раз - выявления распределения примесей РдИусТзакР уПгл яПОуглРоав в образце, если возможно подобрать кристалла на его изобра - растворитель, действующий на обра-жении. [2]

Принципиальная схема высокочастотного ионного распыления. [3]

Атомы, выбитые из мишени при ионном распылении, могут обладать значительной энергией ( порядка десятков электрон-вольт), причем относительная доля таких атомов увеличивается с ростом энергии бомбардирующих ионов. Это определяет специфику процесса конденсации атомов на подложке при ионном напылении - отсутствие критической температуры и критической плотности атомного пучка. Вследствие высокой энергии бомбардирующих атомов они практически при любой температуре и любой плотности пучка вбиваются в поверхность подложки и застревают там. По мере напыления доля напыляемых атомов в поверхностном слое непрерывно растет и в конце концов на поверхности образуется пленка из чистого материала мишени. [4]

Страницы: 1