Невозбужденный атом
Cтраница 3
 |
Энергетические уровни в многоэлектронных атомах ( примерная схема. [31] |
Конфигурация электронной оболочки невозбужденного атома определяется зарядом его ядра. Электроны с одинаковым значением главного квантового числа п образуют квантовый слой близких по разме-облаков. [32]
Конфигурация электронной оболочки невозбужденного атома определяется зарядом его ядра. Электроны с одинаковым значением главного квантового числа п образуют квантовый слой близких по размерам облаков. [33]
При температуре пламени доминируют невозбужденные атомы. Так, при 2500 К лишь около 0 02 % атомов натрия в любой момент находится в Зр-со-стоянии; атомов в более высоком энергетическом состоянии еще меньше. [34]
В результате этого доля невозбужденных атомов, способных поглощать энергию внешнего излучения, уменьшается, следовательно, уменьшается поглощательная способность среды. Такое уменьшение становится заметным при больших интенсивностях. Поэтому изменение коэффициента поглощения происходит именно в сильных полях. [35]
Химические элементы по структуре невозбужденных атомов подразделяются на естественные совокупности, что отражено в периодической системе в виде горизонтальных и вертикальных рядов - периодов и групп. [36]
Почему электронное облако в невозбужденном атоме водорода имеет сферическую форму. [37]
Аналогично тому что наблюдается в невозбужденном атоме ( см. правило Гунда, стр. [38]
Принимая, что электрон в невозбужденном атоме водорода движется по круговой орбите радиусом г52 8пм, определить: 1) магнитный момент рт эквивалентного кругового тока; 2) орбитальный механический момент L, электрона; 3) исходя из полученных числовых значений, гиромагнитное отношение орбитальных моментов, доказав, что оно совпадает со значением, определяемым универсальными постоянными. [39]
На неподвижный невозбужденный атом водорода налетает другой невозбужденный атом водорода. Какова должна быть минимальная кинетическая энергия налетающего атома, чтобы в результате столкновения мог излучиться фотон. [40]
Зона, образованная уровнями валентных электронов невозбужденных атомов, получила название валентной зоны ( S3) кристалла. Энергетические зоны в полупроводнике не локализованы возле какого-либо отдельного атома - их следует отнести ко всему кристаллу, так что кристалл с этой точки зрения можно считать одной огромной молекулой. Зона проводимости называется так потому, что при приложении разности потенциалов к полупроводнику через проводник проходит электрический ток, в котором могут участвовать только электроны, находящиеся при данных условиях в зоне проводимости. Электроны, находящиеся в валентной зоне, не могут перемещаться под действием электрического поля, поскольку такое движение связано с увеличением энергии электрона, причем он должен перейти на более высоко расположенный энергетический уровень, однако в валентной зоне все уровни заняты электронами. [41]
Интенсивность спектральной линии возрастает пропорционально концентрации невозбужденных атомов в плазме N0, а следовательно и концентрации элемента в пробе только при малых значениях этих величин. При очень высоких концентрациях элемента и, соответственно, высоком самопоглощении интенсивность спектральной линии достигает максимума, не зависит от концентрации и равна интенсивности излучения абсолютно черного тела для данной температуры в данном спектральном интервале длин волн. [42]
Интенсивность спектральной линии возрастает пропорционально концентрации невозбужденных атомов в плазме No, a следовательно и концентрации элемента в пробе только при малых значениях этих величин. При очень высоких концентрациях элемента и, соответственно, высоком самопоглощении интенсивность спектральной линии достигает максимума, не зависит от концентрации и равна интенсивности излучения абсолютно черного тела для данной температуры в данном спектральном интервале длин волн. [43]
Химические элементы по строению электронных оболочек невозбужденных атомов объединяются в естественные совокупности, которые представлены в периодической системе горизонтальными и вертикальными рядами - периоды и группы. [44]
Если же на наивысшем занятом уровне отдельного невозбужденного атома содержится один электрон, возникшая из него при образовании кристаллической решетки энергетическая зона будет или заполнена только наполовину, или полностью свободна. Полностью свободную или частично заполненную энергетическую зону называют зоной проводимости. [45]
Страницы: 1 2 3 4