Доля - заряд
Cтраница 3
Если абсолютное значение q в долях заряда электрона будет больше 0 5, считается, что атомы превратились в ионы, а связь становится ионной. [31]
 |
Схема включения газоразрядного счетчика.| Зависимость величины заряда на обкладках конденсатора при возникновении разряда в камере от величины приложенного напряжения. [32] |
Имеются два основных конкурирующих процесса: собирание заряда на электродах камеры и рекомбинация ионов в ее газовом объеме. При возрастании напряжения V скорость движения ионов увеличивается, а вероятность рекомбинации уменьшается и доля заряда, собираемого на электродах, растет. Доля рекомби-нированных ионов становится пренебрежимо малой. Все ионы, созданные частицей, собираются на электродах. [33]
В заслушанном докладе ставится задача выбора критерия для оценки детонации. Классификация топлив в дорожных условиях по началу детонации далеко не соответствует стандартной детонации в двигателях GFR, и которых доля заряда, сгорающая в аномальных условиях, особенно значительна при малых степенях сжатия. Можно думать, что расхождения между октановыми числами, полученными в лабораторных и в дорожных условиях, окажутся меньше, если эти октановые числа будут достаточно высоки. Сопоставление тонлив на двигателях GFR по скорости нарастания давления в максимумах колебаний или по определению детонации на слух приводит к существенно различающимся данным. [34]
Уменьшение анодного напряжения при значениях, заметно меньших U ( BO) CT, сопровождается незначительным ростом критического и уменьшением вносимого зарядов. Несмотря на уменьшение разности между QBHOC и QKP накопление критического заряда легко обеспечивается за счет сокращения времени нарастания напряжения и уменьшения доли вносимого заряда, рекомбинирующе-го за это время. [35]
Это объясняется тем, что в р-л-р-л - структурах исчезновение заряда в широкой базе - типа обусловлено главным образом процессами рекомбинации и при у2 ж 1 время выключения практически не зависит от обратного тока. Но у тиристоров с двумя узкими базами время выключения снижается при увеличении обратного тока, так как по мере уменьшения толщины широкой базы л-типа доля заряда, убывающего из базы за счет наличия обратного тока, возрастает. В этом случае происходит уменьшение времени выключения и при увеличении скорости убывания анодного тока перед выключением. [36]
В связи с тем, что многие органические соединения, имеющие ковалентные связи с нечетным числом я-электропов или связи нецелочисленной кратности, не могут быть изображены обычными структурными формулами, в которых черта связи соответствует двум электронам, возникли разные попытки отразить в формулах структурные особенности этого типа соединений. В данной книге для описания таких соединений обычные формулы оснащаются точками над связью, что означает, что один электрон участвует в связи, или пунктиром, что указывает на долю заряда электрона, приходящуюся дополнительно на данную связь. [37]
При анализе флюктуации тока в режиме тока насыщения мы рассматривали лишь процессы образования зарядов, считая сбор зарядов полным и практически мгновенным. В режиме тока проводимости необходимо учитывать, что часть зарядов рекомбинирует в объеме камеры детектора. Доля собираемых зарядов, строго говоря, случайная величина. Поэтому при детектировании в режиме тока проводимости требуется учитывать флюктуации доли собираемых зарядов. [38]
J f dV и J ф У равны единице. Поэтому полный заряд делится на части, равные С и С. Cf выражают доли заряда электрона, приходящиеся на данный атом в молекуле. [39]
 |
Зависимость фонового тока ( I и флюктуации тока ( 2 от напряжения между электродами электронозахват. [40] |
Флюктуации тока должны быть максимальны в области максимальной чувстви-тельности тока проводимо-сти к изменению плотности газа. При малых же значениях доли собираемых зарядов ( / ф / / нас - 0) должно наблюдаться падение флюктуации, так как само значение Y. I стремится к нулю. [41]
Чем больше эти коэффициенты, тем сильнее отличаются молекулярные орбитали от соответствующих атомных. Эти методы характеристики электронных состояний очень наглядно показывают, как физики, испытавшие затруднения, когда им пришлось отказаться от удобных шариков-электронов, вращающихся по определенным орбитам, и вместо них пользоваться туманными электронными облаками, справились с практическими задачами. Фактическую электронную плотность стали выражать в долях заряда электрона, а прочность связи - в той электронной нагрузке на данную связь, представление о которой дают произведения коэффициентов в линейном выражении молекулярных орбиталей через атомные. [42]
В аккумуляторных батареях шлюзовой камеры и астрономического отсека используются счетчик ампер-часов и третий сигнальный ( чувствительный к кислороду) электрод соответственно. Счетчик ампер-часов выдает сигнал для уменьшения скорости заряда до заряда малым током, а по сигналу третьего электрода заряд прекращается. Кривые эффективности обычно представляют собой зависимости для доли повторного заряда, или отношения ампер-часов при заряде и разряде. [43]
Переменная К обозначает долю полного заряда zae на ионе типа а в ходе процесса заряжения в жидкости. Сумма, заключенная в квадратные скобки под знаком второго интеграла в формуле ( 50), есть не что иное, как средняя плотность электростатического заряда вокруг частично заряженного центрального иона. Здесь использован тот очевидный факт, что бинарные корреляционные функции, вообще говоря, должны зависеть от значения доли заряда, сообщенного одному из ионов пары. [44]
Дифференциальная емкость двойного слоя представляет собой термодинамическую величину, равную второй производной поверхностного натяжения по потенциалу или первой производной поверхностной плотности заряда по потенциалу. Таким образом, поверхностное натяжение и поверхностная плотность зарядов могут быть получены интегрированием с, точностью до констант интегрирования. Это дает возможность разложить наблюдаемую емкость на катионную и анионную компоненты и путем интегрирования последних по потенциалу получить долю зарядов двойного слоя, обусловленных отдельно катионами и анионами. Благодаря тому, что одпоатомные катионы, по-видимому, никогда не хемосорбируются на ртути, для расчета потенциала внешнего гельмгольцевского ( Гуи) слоя можно применять теорию диффузного двойного слоя Гуи - Чапмапа. Из этого потенциала можно вычислить копцептрациюанионов в диффузной части двойного слоя и, так как уравнение термодинамики дает величину общего ло-перхностного избытка анионов на границе фаз, по разности найти поверхностный избыток специфически адсорбированных анионов. Бажно отметить, что те части расчета, которые по являются строгими с термодинамической точки зрения, тем не менее твердо обоснованы и но окапывают существенного влияния на окончательный результат. Следовательно, результаты теоретически хорошо обоснованы. [45]
Страницы: 1 2 3 4