Кратность - очистка
Cтраница 1
Кратность очистки при этом рассчитывается как обратная величина от значения Ккр. [1]
Кратность очистки от К сильно возрастает с уменьшением его содержания в исходном хлористом рубидии. [2]
За кратность очистки принимают отношение концентрации ( вес. [3]
Замечено, что кратность очистки резко возрастает с уменьшением содержания микропримеси. Это указывает на возможность адсорбционного захвата осадком комплексного соединения перечисленных выше элементов. [4]
Ип уравнения (IX.2) следует, что кратность очистки возрастает с уменьшением скорости потока электролита через ячейку и увеличением катодной поверхности. Q g; ftiS) кратность очистки является максимальной и равной ( р kzik. Кратность очистки раствора возрастает также с увеличением интенсивности перемешивания и с повышением температуры. Пели микропримеси разряжаются на предельном токе, а основной металл - с химической поляризацией, то во-псрпых, kzk, a no - вторых, содержание микропримеси п катодном осадке практически не зависит от концентрации ионов основного вещества в растворе. [5]
Как видно из рис. 1, кратность очистки раствора - kM - при длительности перемешивания 30 мин. [6]
Из соотношения ( 19) следует, что кратность очистки кристаллов от неизоморфной примеси помимо свободной влажности W и степени кристаллизации а зависит от концентрации основного вещества в маточном растворе См. [7]
Независимо от расхода жидкости и качества воды на входе кратность очистки воды оказалась близка к единице. [8]
Было установлено, что достигаемая в колонне кратность очисг-ки мало отличается от кратности очистки в кристаллизаторе / и не превышает при этом величины коэффициента разделения. Причина этого, по-видимому, заключается в низкой скорости диффузии в ионных кристаллах [488] в той области температур, в которой проводится кристаллизация из раствора и которая обычно весьма далека от температуры плавления кристаллов. [9]
Иногда для характеристики глубины очистки вещества в результате такого однократного процесса массовой кристаллизации пользуются понятием кратности очистки [452, 453], под которой понимается отношение концентраций примеси в выделившейся твердой фазе и в исходном очищаемом веществе. [10]
 |
Зависимость микротвердости Kjj, поверхности стали от кратности очистки К 1 - механическая обработка вращающей - 300Q ся щеткой. 2 - механохимическая обработка. [11] |
Как следует из рис. 52, при механической обработке микротвердость повышается с увеличением числа проходов инструмента ( кратности очистки) в результате наклепа поверхности щетками, а при механохимической обработке становится даже несколько ниже исходной. [12]
Как указывалось в сообщении 1 [1], для области малых концентраций примесей, когда равновесная концентрация примеси в паре линейно пропорциональна ее концентрации в жидкости ( область Генри), возможен аналитический расчет кратности очистки продукта в зависимости от параметров колонны и постоянной скорости его отбора. [13]
Еде а - коэффициент интенсивности очистки [1, 2]; Уа - скорость поступления примеси из внешней среды на одну ступень; X - скорость потока очищаемой фазы, постоянная для всего каскада; с е-а - кратность очистки на одной ступени при отсутствии эффекта загрязнения; Х0 - концентрация примеси в исходном продукте; хг - концентрация примеси в очищаемой фазе на выходе с последней ступени. [14]
Технологические же достоинства АнГ исключительно высоки: АнГ легко и просто синтезируются, выделяясь из растворов в виде хорошо фильтрующихся кристаллических осадков, характеризуются высокими температурными коэффициентами растворимости и высокой ( в среднем 10 - 30) кратностью очистки. Применение АнГ как промежуточных технологических продуктов полностью исключает дополнительные операции по очистке, так как нелетучие ионы в процесс не вводятся, перевод АнГ в очищенные соединения ( простые галоге-ниды) достигается термическим разложением при невысокой температуре и полной регенерации галогенов и межгалогенов. Все это и определяет выбор АнГ и эффективность их использования для получения наиболее чистых соединений рубидия и цезия. Этим же объясняется то обстоятельство, что АнГ широко применяются в лабораторной практике и твердо прокладывают себе путь в технологию. Выше можно найти немало примеров, подтверждающих высказанную мысль. Применение АнГ дает основания считать, что решение одной из труднейших задач в проблеме разделения близких по свойствам редких элементов ( получение особо чистых соединений рубидия и цезия) можно считать найденным. Вместе с тем нельзя утверждать, что наиболее изученные к настоящему времени представители АнГ - единственно пригодные и лучшие для получения особо чистых соединений рубидия и цезия. Хотя, если исходить из наших сегодняшних знаний о данном классе соединений, то кажется, что это именно так. Возможности АнГ трудно переоценить и они еще далеко не исчерпаны. Выбором соответствующего их типа можно получить, не прибегая к дополнительным технологическим операциям, любой галогенид рубидия или цезия ( кроме фторида) столь высокой степени чистоты, которая каким-либо иным путем пока не достигается. [15]
Страницы: 1 2