Cтраница 1
Сенсибилизирующие атомы или молекулы могут находиться в трех состояниях в поверхностных слоях кристаллов галоидного серебра, содержащихся в эмульсии. Группы атомов или молекул могут: 1) находиться на внешних поверхностях; 2) располагаться в областях структурных нарушений в непосредственной близости к поверхности; 3) входить как заместители в поверхностные слои, локализуясь в кристаллической решетке у вакантных узлов, отвечающих ионам галоида. [1]
Два только что рассмотренных вида вхождения сенсибилизирующих атомов и молекул представляют заманчивую рабочую гипотезу для дальнейшего исследования химической сенсибилизации. Действительно, оба вида могут быть реализованы практически. Однако за последнее время стало ясно, что подобные теоретические спекуляции по детальной природе химической сенсибилизации хотя и стимулировали дальнейшие исследования, но не привели к прочным успехам в этой области. Это обусловлено отсутствием экспериментальных данных по свойствам поверхностей кристаллов галоидного серебра, покрытых слоями сенсибилизирующих веществ. Так, например, неизвестно, вызовет ли присутствие таких поверхностных слоев самопроизвольное вуалирование кристалла. Неизвестно также, в чем заключается основная роль этих слоев - в захвате электронов или положительных дырок. [2]
В своей первой работе по этому вопросу, где впервые для объяснения химической сенсибилизации использовалось представление о роли вакантных узлов кристаллической решетки, Митчелл [10] использовал третью возможность. Он предполагал, что сенсибилизирующие атомы и молекулы входят как заместители в поверхностные слои микрокристаллов и что их основной функцией является захват дырок и электронов в пространственно разделенных участках кристалла и тем самым уменьшение вероятности их рекомбинации. Прежде всего, он постулировал, что объемные заряды, созданные захватом электронов, нейтрализуются в результате перемещения вакантных узлов кристаллической решетки, отвечающих ионам галоида. [3]
В условиях химического созревания эмульсии возможен также другой способ закрепления сенсибилизатора. Он заключается во вхождении сенсибилизирующих атомов или молекул в трещины или другие нарушения поверхностных слоев кристалла. В этом случае сенсибилизатор сохраняет свою химическую индивидуальность, что не имеет места при вхождении в узлы решетки в качестве заместителей основных атомов. Сенсибилизирующие атомы и молекулы действительно легче всего закрепляются в областях поверхностных нарушений, где расположены наиболее активные участки, и дальнейший рост кристалла может привести к их вхождению в эти области. [4]
В условиях химического созревания эмульсии возможен также другой способ закрепления сенсибилизатора. Он заключается во вхождении сенсибилизирующих атомов или молекул в трещины или другие нарушения поверхностных слоев кристалла. В этом случае сенсибилизатор сохраняет свою химическую индивидуальность, что не имеет места при вхождении в узлы решетки в качестве заместителей основных атомов. Сенсибилизирующие атомы и молекулы действительно легче всего закрепляются в областях поверхностных нарушений, где расположены наиболее активные участки, и дальнейший рост кристалла может привести к их вхождению в эти области. [5]