Доля - напряжение
Cтраница 2
 |
Эпюра az по толщине пла.| Эпюры ъгг и аг по толщине пластины. [16] |
В табл. 9.4 и 9.5 приведены проценты, составляемые самоуравновешенной долей напряжений сгг от полной величины напряжения. Легко видеть, что с уменьшением параметров h [ R и r / R этот процент быстро убывает. [17]
Коэффициенту ( имеющийся в этой таблице) показывает, какую долю напряжения т2 в серединах коротких сторон составляет от напряжения ттах в серединах длинных сторон. [18]
 |
Внешний вил измерителя с фотодиодным датчиком. / - фотодиодный датчик. 2 - пульт. [19] |
К - коэффициент сжатия шкалы, зависящий от того, до какой доли напряжения источника должен зарядиться конденсатор за это время. В схеме значение К выбрано равным 1 3, поэтому за время to конденсатор заряжается до 54 % напряжения питания зарядной цепи и отсчет значения выдержки начинается примерно с середины шкалы. [20]
Так как относительная чувствительность глаза к цветам R, G и В неодинакова, то доли напряжения UR, UG и UB, из которых составляется яркостный сигнал, должны быть разными. [21]
 |
Трансформаторная ( индуктивная связь.| Автотрансформаторная ( кон-дуктивиая связь.| Внутренняя емкостная связь.| Внешняя емкостная связь. [22] |
Здесь k ( степень связи первого контура со вторым) определяется при разомкнутом втором контуре долей напряжения, приходящегося на элемент связи, по сравнению с напряжением на полной реактивности первого контура, имеющей одинаковый знак с реактивностью элемента связи. [23]
Действительно, на сопротивлении нагрузки падает какая-то часть напряжения источника питания выходной цепи транзистора, в результате чего доля напряжения, приходящаяся на коллекторный переход, уменьшается по мере увеличения тока коллектора. [25]
 |
Прямые ветви вольт-амперных характеристик германиевого магнито-диода, находящегося в магнитных полях с различной магнитной индукцией. [26] |
В результате увеличения сопротивления базы прямое напряжение, приложенное к диоду с толстой базой, перераспределяется: уменьшается доля напряжения, приходящаяся на р-п-пе-реход. [27]
В результате увеличения сопротивления базы прямое напряжение, приложенное к диоду с толстой базой, перераспределяется: уменьшается доля напряжения, приходящаяся на р-и-пере-ход. Этот процесс приводит к резкому уменьшению тока, проходящего через диод, так как этот ток связан экспоненциальной зависимостью с напряжением на / э-и-переходе. Кроме того, ток, проходящий через р - / г-переход, уменьшается из-за уменьшения тока насыщения, как и в диоде с тонкой базой. [28]
В результате увеличения сопротивления базы прямое напряжение, приложенное к диоду с толстой базой, перераспределяется: уменьшается доля напряжения, приходящаяся на р-п-пере-ход. Этот процесс приводит к резкому уменьшению тока, проходящего через диод, так как этот ток связан экспоненциальной зависимостью с напряжением на p - n - переходе. Кроме того, ток, проходящий через р-га-переход, уменьшается из-за уменьшения тока насыщения, как и в диоде с тонкой базой. [29]
Применение комбинированных материалов и вообще переход к рассмотрению прочности как конструктивно чувствительного свойства, которое должно отражать соотношение долей напряжений и полей сопротивлений материала и учитывать структуру как своеобразную внутреннюю конструкцию, является основным направлением дальнейшего существенного шага в завоевании новых рубежей для решающего показателя качества конструкционных сталей - их прочности. В работах над реализацией этога-продуктивного принципа должны объединиться усилия отечественных метал ловедов, конструкторов, металлургов и технологов. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5