Доля - вакансия
Cтраница 1
Доля вакансий на данной оболочке, при заполнении которой происходит испускание характеристического рентгеновского излучения, называется выходом флуоресценции, а доля, соответствующая испусканию электронов Оже, называется Оже-выходом. На рис. 12 показана зависимость выхода флуоресценции для - оболочки от атомного номера. [1]
Эта цифра непосредственно и будет определять долю вакансий в жидкости, если принять, что единственной причиной возрастания объема является увеличение концентрации вакансий. Резкое увеличение концентрации вакансий находится в соответствии с большой подвижностью молекул в жидкости по сравнению с твердым телом. [2]
Эффективность влияния развития вакансионных петель на эволюцию пористости зависит 1) от доли вакансий, которые формируют плоские вакансионные скопления, в общем числе вакансий, образующихся под облучением; 2) от стабильности образующихся при разрушении каскадов вакансионных петель. [3]
Сверхпроводимость в этой системе связана с соединением YBa2Cu3O7 e, где б - доля вакансий по кислороду. [5]
 |
Коэффициенты самодиффузии галогенидов щелочных металлов. [6] |
Увеличение положительных отклонений от уравнения Нернста - Эйнштейна с ростом температуры легко объясняется увеличением доли парных вакансий. [7]
Если С - концентрация ионов, расположенных в узлах решетки, то выражение в скобках равно среднему значению доли вакансий N [ / N и D соответствует коэффициенту самодиффузии ионов. Но если С - концентрация дефектов, например вакансий, то выражение в скобках будет иметь смысл среднего значения доли занятых узлов решетки, которое мало отличается JOT единицы из-ча низкой концентрации дефектов. В этом случае D a2k представляет собой коэффициент диффузии дефектов, который не зависит от давления и включает только энергию активации элементарного диффузионного прыжка, а не энтальпию образования дефекта. [8]
Измерения показали, что стабильные скопления образуются при закалках, проведенных с таких низких температур, как 600 С. Быстрое уменьшение остаточного электросопротивления при закалке с температур, близких к 500 С, свидетельствует о резком уменьшении доли вакансий, участвующих в образовании стабильных скоплений. [9]
Если мы предположим, что найденная величина ЕР верна, тогда для каждой скорости закалки можно найти температуру, при которой происходит потеря определенной части вакансий из предполагаемой равновесной концентрации. Поэтому возможны четыре комбинации значений Тд и та, по одному для каждого значения т, , которые приводят к одной и той же доле потерянных вакансий. [10]
Фазы, структурные типы которых опредляются главным образом электронной концентрацией, включают сверхструктуры, собственно электронные соединения ( фазы Юм-Розери) и фазы, образованные двумя переходными металлами. ZSi 3) и е-латуни ( A3) представляют собою структурные типы, сформированные идеальными или слегка гофрированными сетками З6, уложенными по законам А2, A3, иногда в сочетании с вакантными сетками, доля вакансий в которых меньше таковой в сетках кагоме. Элементарные ячейки этих фаз вырезают из ряда таких параллельных сеток, электронная плотность которых составляют 1 480 - 1 500 э / а ( - 3 / 2) для Р - фаз, 1 548 - 1 615 э / а ( - 21 13) для v-фаз и 1 700 - 1 750 э / а ( - 7 / 4) для е-фаз. [11]
 |
Зарядовые состояния Fe, образовавшиеся в результате каскада Оже после распада 67Со путем электронного захвата. [12] |
Относительная значимость эффекта Оже зависит от конкуренции между этим процессом и испусканием рентгеновских лучей. Вероятность перехода Оже не зависит от порядкового номера, тогда как для разрешенных рентгеновских переходов, являющихся электрическими дипольными переходами, вероятность быстро увеличивается с ростом Z. Выход / ( - флуоресценции ( доля вакансий в / ( - оболочке, при заполнении которых испускаются / ( - рентгеновские лучи) служит непосредственной мерой этой конкуренции. [13]
Структурные соображения могут помочь в рассмотрении проблемы стеклообразования. Для галогенидов натрия характерны структуры с плотной упаковкой, которые разупорядочиваются при плавлении с образованием позиционных дефектов. Эти дефекты присутствуют также, но в гораздо меньших количествах и ниже температуры плавления, причем доля вакансий в решетке возрастает при повышении температуры. Вблизи температуры плавления и выше ее равновесная концентрация дефектов изменяется очень быстро при резком изменении температуры. В результате структура расплава с высокой концентрацией дефектов легко превращается при охлаждении в кристаллическую структуру, так как единственно необходимая перегруппировка состоит в изменении концентрации дефектов. [14]
Страницы: 1