Cтраница 1
Растворенные атомы влияют на скорость высокотемпературной ползучести не только из-за вязкого течения на движущихся дислокациях, но также в результате их влияния на скорость переползания заторможенных краевых дислокаций. Элементы, уменьшающие скорость возврата путем снижения скорости переползания, обусловливают более быстрое уменьшение скорости ползучести на первой стадии и менее быстрое - на второй стадии. В то время как легирующие элементы существенно влияют на температуру рекристаллизации, их воздействие на возврат обычно менее эффективно. Далее, как показал Перри-ман, скорость возврата при увеличении степени легирования или возрастает, или уменьшается. Например, Mg в твердом растворе увеличивает скорость возврата алюминия. В работе [85] подчеркивается, что это обусловлено главным образом тем, что Mg увеличивает концентрацию вакансий в алюминии. [1]
Движение изогнутых дислокаций. кружками указаны препятствия движению дислокаций - атомы второго компонента ( а и выделения ( б. [2] |
Растворенные атомы с параметром размерного несоответствия е создают вокруг себя поле внутренних напряжений с усредненным по объему напряжением Ti GeC, где С - концентрация растворенного элемента в атомных долях. [3]
Растворенные атомы при этом теряют свои обжитые и удобные места, что выражается в дополнительном энергетическом проигрыше. [4]
Растворенные атомы и дислокации могут испытывать различные взаимодействия: упругое, электрическое, химическое, геометрическое. Для деформационного старения важное значение имеют упругое взаимодействие и электрическое. [5]
Если растворенные атомы имеют такую же валентность, как и металл-растворитель ( например, калий в натрии), то различия в заряде чужеродного иона и ионов основной решетки не будет, однако рассеяние все же возникнет в результате следующих двух эффектов. Во-первых, внутреннее поле растворенного иона должно в общем случае отличаться от внутреннего поля ионов основного металла. [6]
Массоперенос растворенных атомов ( ионов) из приграничной зоны жидкой фазы в остальную жидкость с участием процессов подвода и отвода компонентов реакции происходит по диффузионному режиму в противоположность недиффузионному ( кинетическому) режиму, при котором определяющей стадией является химическое взаимодействие твердого и жидкого тела, а не скорость отвода и подвода ее компонентов. [7]
Ионизация растворенного атома требует работы ионизации ( S 7), также уменьшенной в е раз. Возвращение электронов в металл дает выигрыш энергии геф / е, где г - валентность металла; eq - работа выхода электрона. [8]
Ионизация растворенного атома требует работы ионизации ( 27), также уменьшенной в е раз. Возвращение электронов в металл дает выигрыш энергии геф / е, где z - валентность металла; ец-работа выхода электрона. [9]
Димеризация растворенных атомов как начальный процесс распада твердых растворов наблюдается и в полупроводниках AmBv, например в GaAs-Se [ 31, стр. Следует заметить, что отрицательный заряд димеров Cu zu - Cu z0 видимо, сильно экранирован положительным зарядом окружающих эти образования дефектов. [10]
Наличие растворенных атомов в атмосферах Коттрелла вблизи дислокаций тормозит перемещение последних в решетке твердого раствора и повышает его прочность. Действительно, для перемещения дислокаций надо сначала оторвать их от атмосфер Коттрелла, применив большее напряжение, чтобы перенести атомы растворимого в более невыгодное положение в решетке с большим запасом свободной энергии. [11]
Влияние содержания углерода на параметры решетки аусте-нита и мартенсита.| Мартенситные иглы.| Изменение линейных.| Удельные объемы различных фаз. [12] |
Влияние растворенных атомов углерода на процесс блокирования дислокации общеизвестно. Границы блоков образует дислокационная сетка. Блоком называют ту часть кристаллита, внутри которой атомы располагаются в решетке практически бездефектного строения. [13]
Если все растворенные атомы свинца или серы отдают или связывают по два электрона, то половина приведенных чисел дает число примесных атомов. [14]
Образование скоплений растворенных атомов наблюдалось также в системах А1 - Си и Al-Zn [39], а основная стадия возврата наблюдается при средней температуре около 30 С для сплавов А1 - Си и при - 20 С для сплавов цинка. [15]