Cтраница 2
![]() |
Пример построения зависимости измеренного сопротивления заземляющего устройства от положения потенциального электрода. [16] |
Измерения сопротивления производят при установке потенциального электрода в каждой из указанных точек. По данным измерений строится кривая зависимости сопротивления от расстояния потенциального электрода до заземляющего устройства ЗУ. [17]
![]() |
Схема для определения нечувствительности регулятора. [18] |
При нескольких значениях этого напряжения с помощью моста постоянного тока ( МПТ) измеряют сопротивление угольного столбика. По полученным данным строят кривую зависимости сопротивления угольного столбика Ryr от напряжения на электромагните U ( рис. XVIII. Максимальная абсолютная величина нечувствительности обозначена Д уг. [19]
Однако вполне чистых и совершенных кристаллов не существует, и дефекты любого вида - химические примеси, дефекты решетки и поверхность кристалла - действуют как центры рассеяния электронов даже в отсутствие колебаний решетки. Поэтому при 0 К сопротивление не падает до нуля, а кривая зависимости сопротивления от температуры смещена вверх на величину, которая отражает меру участия дефектов в рассеянии электронов. При высоких температурах это смещение незначительно по сравнению со значительно большим эффектом колебаний решетки. При этом наблюдается совокупное влияние всех примесей и дефектов решетки. Чувствительность сопротивления к различным дефектам изменяется в широких пределах, это, в частности, видно из рис. 36, б, где показано влияние некоторых примесей на сопротивление меди. Приведенная на рисунке зависимость показывает, что введение одной части железа на миллион частей меди приводит к увеличению сопротивления при 4 2 К более чем на порядок. При относительно высоких температурах сопротивление металлов растет пропорционально температуре в первой степени. [20]
У мостовых схем на основе ППТ по сравнению со схемами на основе металлических тензорезисторов отмечается сравнительно сильная зависимость коэффициента чувствительности от температуры. Уменьшить эту зависимость можно с помощью компенсационных схем; при этом важную роль играет температурная зависимость сопротивления и коэффициента К. Кривая зависимости сопротивления от температуры имеет чрезвычайно большую кривизну, что затрудняет компенсацию. [21]
При исследовании систем регулирования потоков жидкостей, движущихся по трубопроводам через различную аппаратуру, для определения сопротивления часто возникает необходи-мост ь измерять перепад давления. В других случаях уже имеются данные, по которым с требуемой точностью может быть вычислено R. Кривая зависимости сопротивления от потока, которую можно построить, располагая указанными данными, обычно имеет нелинейный характер. Могут быть определены также как средние значения сопротивлений, так и величины их приращений. [22]
![]() |
Использование термистора. [23] |
Схема работает таким образом, что, когда температура возрастает, сопротивление термистора уменьшается, при этом прекращается подача смещения в прямом направлении. По причинам, упомянутым выше, сопротивление термистора должно выбираться низким. Кривая зависимости сопротивления термистора от температуры должна по возможности точно совпадать с прямой характеристикой путем применения сопротивлений, включенных последовательно и параллельно. [24]
В диапазоне от 0 5 до 20 К полином восьмой степени обеспечивает стандартное отклонение не более 0 2 мК; в диапазоне от 0 5 до 27 К для той же точности достаточен полином одиннадцатой степени. Эти полиномы описывают температуру как функцию сопротивления. Сложности возникают при попытках аппроксимировать диапазоны, включающие температуру 28 К, поскольку в этой точке низкотемпературное сопротивление, обусловленное примесными явлениями, уступает место высокотемпературному сопротивлению, обусловленному рассеянием на фононах, и кривая зависимости сопротивления от температуры проходит через точку перегиба. [25]
На графике в точке А условно отложены значения сопротивления разделению при вырубке материалов в один слой. По оси ординат отложена величина понижения сопротивления разделению, а ло оси абсцисс - число штампуемых слоев. Опыты показывают, что сопротивление разделению при увеличении числа слоев падает, при этом наиболее значительное падение наблюдается при штамповке в 2 - 3 слоя. При штамповке в 4 - 5 слоев и выше кривая зависимости сопротивления разделению от числа слоев асимптотически приближается к оси абсцисс Для большинства материалов сопротивление разделению при штамповке в 2 - 3 слоя составляет 40 - 50 % от сопротивления разделению в один слой. [26]
Рассматривается также возможность использования явления снижения электрического сопротивления проводника по мере уменьшения его температуры с помощью искусственного охлаждения. Это явление не связано со сверхпроводимостью, описанной выше. Оно просто объясняется тем, что с понижением температуры металла электрически заряженные частицы реже сталкиваются с атомами кристаллической решетки, поскольку чем ниже температура, тем меньше амплитуда колебательных движений атомов. Изменение сопротивления может быть очень резким, как видно из рис. 9.8, где представлена кривая зависимости сопротивления чистого алюминия от температуры. Стрелками обозначены точки кипения гелия, водорода и азота. При температуре около 40 К и ниже сопротивление сильно зависит от наличия примесей и может быть на порядок больше, чем показано. [28]