Кривая - качание
Cтраница 2
 |
Расчетные дифракционные характеристики ММС ( 200 слоев на основе свинцовых солей жирных кислот для % - 1 - 4 - 12 нм. [16] |
В параллельной установке отклонение углов падения на второй кристалл от угла Брэгга (8.1) одинаково для всего спектра излучения, отраженного первым кристаллом, и, следовательно, отсутствует спектральное уширение кривой качания. Угловое распределение каждого спектрального компонента пучка, отраженного коллиматором, повторяет форму его дифракционного профиля, и кривая качания представляет корреляционную функцию дифракционных профилей обоих кристаллов, что следует учитывать при сравнении экспериментальных и расчетных данных. [17]
Осциллограммы движения ротора получены инерционным методом. Время одного оборота на осциллограммах пропорционально расстоянию между двумя отметками, которые представляют собой небольшие острые пики на кривой качаний ротора. [18]
Ас 4 10 - s А, при котором относительная деформация решетки составляет 0 03 %, происходит быстрый рост величины 29 до значения, близкого к исходному. Момент начала увеличения угла 29 совпадает, в пределах точности эксперимента, с началом спада интенсивности отражения и началом уширения кривой качания. Последнее свидетельствует о значительном нарушении кристаллической структуры. Увеличение мощности излучения до 16 Вт / см2 вызывает уширение кривой качания от 14 до 140, что соответствует дефектному кристаллу. После выключения света за первые 5 часов ширина кривой качания релаксирует больше, чем за последующие 150 часов. [19]
 |
Зависимость ДХ и р от числа циклов нагружения для монокристаллов Мо. [20] |
Приведенный на рис. 104 характер изменения кривых качания свидетельствует о появлении новых субзерен и уменьшении их разориентировки относительно друг друга при общем возрастании величины X. На рис. 105 приведены характерные графики изменения величины ДХ, равной приросту в процессе циклического нагружения усредненного общего углового интервала кривой качания, и величины р, равной усредненному значению полуширины пика, в зависимости от числа циклов нагружения для монокристаллов Мо ориентировки 1 и 2, испытанных и доведенных до разрушения при одинаковых значениях приведенных касательных напряжений ( та 124 МПа), подсчитанных в соответствии с формулой (11.51), в первичной системе скольжения. [21]
Кристалл В устанавливается в исходное положение. Покачивая кристалл В вокруг вертикальной оси, лежащей в отражающей плоскости, мы регистрируем отраженные от этого кристалла пучки, и, таким образом, получаем некоторую экспериментальную форму максимума, называемую в литературе кривой качания ( rocking curve) или кривой отражения. Существенной задачей теории является установление соотношения между этой кривой и истинной формой динамического максимума от одного кристалла В. Рассмотрим прежде всего величины углов, образуемых различными лучами в падающем пучке, при различных значениях К с кристаллами А и В. [22]
Ас 4 10 - s А, при котором относительная деформация решетки составляет 0 03 %, происходит быстрый рост величины 29 до значения, близкого к исходному. Момент начала увеличения угла 29 совпадает, в пределах точности эксперимента, с началом спада интенсивности отражения и началом уширения кривой качания. Последнее свидетельствует о значительном нарушении кристаллической структуры. Увеличение мощности излучения до 16 Вт / см2 вызывает уширение кривой качания от 14 до 140, что соответствует дефектному кристаллу. После выключения света за первые 5 часов ширина кривой качания релаксирует больше, чем за последующие 150 часов. [23]
Ас 4 10 - s А, при котором относительная деформация решетки составляет 0 03 %, происходит быстрый рост величины 29 до значения, близкого к исходному. Момент начала увеличения угла 29 совпадает, в пределах точности эксперимента, с началом спада интенсивности отражения и началом уширения кривой качания. Последнее свидетельствует о значительном нарушении кристаллической структуры. Увеличение мощности излучения до 16 Вт / см2 вызывает уширение кривой качания от 14 до 140, что соответствует дефектному кристаллу. После выключения света за первые 5 часов ширина кривой качания релаксирует больше, чем за последующие 150 часов. [24]
Химическую полировку подложек обычно осуществляют следующим образом. Подложку, закрепленную в платиновом держателе, подогревают над поверхностью кислоты ( в случае гранатов - ортофосфорной), нагретой до 350 - 380 С, и затем опускают в кислоту на несколько секунд. Качество обработанных таким образом подложек определяют с помощью поляризацион-но-оптического и рентгенографического анализов. На рис. 5.7 приведены кривые качания, полученные на двухкристальном дифрактометре для двух подложек гадолиний-галлиевого граната, подвергнутых механической и химической полировкам. Совершенство химически полированной пластины достаточно высокое, так как ширина кривой качания не превышает 15, что близко к теоретическому значению для идеальных кристаллов. [25]
Страницы: 1 2