Кривая - плотность - состояние - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Вы молоды только раз, но незрелым можете оставаться вечно. Законы Мерфи (еще...)

Кривая - плотность - состояние

Cтраница 1


Кривая плотности состояний для меди схематически изображена на рис. 2.18. Плотность состояний на поверхности Ферми мала.  [1]

Кривая плотности состояний для меди схематически изображена на рис, 2.18, Плотность состояний на поверхности Ферми мала.  [2]

При рассмотрении жидкого висмута кривая плотности состояний, по-видимому, должна быть значительно более сложной. По всей вероятности, теория Эдвардса в данном случае не подходит.  [3]

4 Плотность состояний в валентной зоне, рассчитанная для нескольких значений И2 ( 1 - 0 675. 2 - 2 025. 3 - 3 375 эВпри VI - 6 75 эВ и V - 2 5 эВ. Сплошной и пунктирной стрелками показаны положения основного максимума в аморфном и кристаллическом полупроводниках соответственно [ 121. [4]

Известны многочисленные попытки получить кривую плотности состояний и ее характеристических особенностей в аморфных материалах. Несмотря на то что вопрос топологии колец представляет несомненный интерес, можно показать [12], что для описания характеристических черт плотности состояний аморфного материала не обязательно привлекать пятиатомные кольца.  [5]

Для сравнения здесь же приведена кривая плотности состояний для структуры ОЦК.  [6]

7 Спектр поглощения кристалла. [7]

Колебания типа щелевых наблюдаются лишь в том случае, если кривая плотности состояний кристалла имеет разрывы. Расстояние между компонентами щелевого дублета, по-видимому, пропорционально ширине щели. Поэтому авторы предположили, что кристаллы RbBr, Rbl, CsBr и Csl не имеют щелей в кривой плотности состояний, а щель для NaBr в расчетах Каро и Харди ( 1963) помещена при слишком низкой частоте.  [8]

Юм-Розери и Роуф [43], сохраняя основную идею, попытались видоизменить эти рассуждения, предположив, что кривая плотности состояний для гранецентрированной кубической структуры имеет два пика ( фиг. Джонса, второй - отношению е / а 1 3, отвечающему случаю, когда поверхность Ферми касается граней куба. Другие возможные аргументы заключаются в том, что в результате образования сплава изменяется потенциал решетки; это приводит к увеличению ширины запрещенной энергетической зоны в направлениях [111] и устранению контакта поверхности Ферми с соответствующими октаэдриче-скими гранями; дальнейшее увеличение концентрации раствора в конце концов восстанавливает контакт. Эти аргументы не вполне согласуются с численными оценками, однако тот факт, что энергия Зй-зоны достаточно близка к энергии Ферми [16] и может влиять на форму поверхности Ферми в чистой меди, подтверждает изложенные идеи.  [9]

Юм-Розери и Роуф [43], сохраняя основную идею, попытались видоизменить эти рассуждения, предположив, что кривая плотности состояний для гранецентрированной кубической структуры имеет два пика ( фиг. Джонса, второй - отношению е / а 1 3, отвечающему случаю, когда поверхность Ферми касается граней куба. Другие возможные аргументы заключаются в том, что в результате образования сплава изменяется потенциал решетки; это приводит к увеличению ширины запрещенной энергетической зоны в направлениях [111] и устранению контакта поверхности Ферми с соответствующими октаэдриче-скими гранями; дальнейшее увеличение концентрации раствора в конце концов восстанавливает контакт. Эти аргументы не вполне согласуются с численными оценками, однако тот факт, что энергия Зс. Ферми [16] и может влиять на форму поверхности Ферми в чистой меди, подтверждает изложенные идеи.  [10]

В том случае, если зоны перекрываются, переход данной структуры в более стабильную отсутствует, так как после достижения поверхностью Ферми границы зоны Бриллюэна будут заполняться электронные состояния обеих зон и кривая плотности состояний будет продолжать возрастать, как показано на фиг.  [11]

Следовательно, весьма вероятно, что контакт между поверхностью Ферми и гранями 111 а зоны Бриллюэна никогда не нарушается, а предельное значение растворимости компонента при образовании ограниченных твердых растворов на основе благородных металлов достигается в тот момент, когда при некотором значении энергии ( а следовательно, и электронной концентрации) кривая плотности состояний промежуточной фазы, прилегающей к области ограниченного твердого раствора, начинает идти выше кривой плотности состояний для сс-фазы. По общему признанию, все описанные случаи следует рассматривать скорее как возможные варианты трактовки, а не истинные теории.  [12]

Следовательно, весьма вероятно, что контакт между поверхностью Ферми и гранями ( 111 зоны Бриллюэна никогда не нарушается, а предельное значение растворимости компонента при образовании ограниченных твердых растворов на основе благородных металлов достигается в тот момент, когда при некотором значении энергии ( а следовательно, и электронной концентрации) кривая плотности состояний промежуточной фазы, прилегающей к области ограниченного твердого раствора, начинает идти выше кривой плотности состояний для сс-фазы. По общему признанию, все описанные случаи следует рассматривать скорее как возможные варианты трактовки, а не истинные теории.  [13]

14 Спектральные границы е t / l 2l, v I VJV2. Заштрихованные участки соответствуют запрещенным, а светлые - разрешенным значениям энергий. Отчетливо видно, что ширина запрещенной юны не обращается в ноль ни при каких чмчпшях V, и V2. [14]

На рис. 2.1.11 сплошными кривыми показаны результаты расчетов плотности состояний для различных полиморфных состояний к - Ge. Пунктиром на рис. 2.1.11, а показана кривая плотности состояний в валентной зоне и зоне проводимости a - Ge. В валентной зоне к - Ge со структурой алмаза и вюрцита в области малых энергий видны два пика. Они различимы в к - Si с решеткой III типа, однако почти незаметны на кривой плотности состояний к - Ge-III. Отличительной чертой структуры к - Ge-III по сравнению со структурой алмаза, вюрцита и к - Si-III является наличие колец с нечетным числом атомов. На основе этого можно заключить, что исчезновение минимума между двумя побочными пиками в области малых энергий на кривой плотности состояний в валентной зоне a - Ge, также как и для a - Si обусловлено наличием в его структуре колец с нечетным числом атомов.  [15]



Страницы:      1    2