Cтраница 5
Разумеется, чем уже пик, тем сильнее форма кривой в координатах сигнал детектора - время отличается от формы кривой распределения концентраций в элюате. [61]
![]() |
Энергетическая зонная диаграмма солнечного элемента с гетеропереходом при прямом смещении с учетом эффекта ограничения скорости носителей заряда вследствие рассеяния. [62] |
Такие расчеты были выполнены для освещенного диода ( при прямом напряжении смещения), для которого на рис. 1.8 приведена кривая распределения концентрации носителей с учетом эффекта ограничения их скорости вследствие рассеяния. Полученные результаты представлены на рис. 2.7. Поскольку фотогенерированные носители заряда являются горячими по отношению к кристаллической решетке, уровень EFn должен лежать несколько ниже, чем показано на рисунке. [63]
![]() |
Рассасывание концентрации неосновных носителей в сплавном диоде в процессе выключения. [64] |
Отметим, что во время первой фазы1) рассасывания граничным условием является постоянство обратного тока и, следовательно, постоянство наклона кривой распределения концентрации дырок у перехода. [65]
![]() |
Изотерма адсорбции ( А В и рабочая линия процесса поглощения АВ. [66] |
Слои, считающиеся отработавшими, фактически в течение-всего процесса будут продолжать поглощать вещество, а следовательно, и оказывать влияние на форму кривой распределения концентраций. [67]