Кривая - фототок
Cтраница 1
Кривая фототока при его нарастании и спаде имеет, как это хорошо видно на фиг. В ряде случаев интервал времени между этими точками принимается за длительность импульса. В некоторых случаях на кривых спада и нарастания фототока находят симметричные точки ( фиг. Последнее определение длительности импульса может использоваться только при одинаковом характере законов нарастания и спада тока. Следовательно, это определение не применимо для цепей с фоторезисторами и фотогальва-ннческими элементами, у которых постоянные времени при освещении и затемнении не равны друг другу. Строго говоря, это замечание может быть отнесено ко всем фотоэлементам. Однако в тех случаях, когда инерционностью самих фотоэлементов можно пренебречь, этим методом пользоваться можно, так как линейные электрические цепи обеспечивают получение одинаковых по своему характеру кривых нарастания и спада фототока. [1]
 |
Зависимость ко - эффициента поглощения К и фототока / ф эффициента поглощения К. ф. [2] |
Кривая фототока свидетельствует о значительной селективности внутреннего фотоэффекта. [3]
При обработке кривых фототока способом, описанным в [4], получены для всех образцов по два значения времен релаксации фотопроводимости: TI, т: 2 - при нарастании и т /, ч2 - при спадании фототока. Значения времен релаксации для образцов в реакции дегидрогенизации представлены в таблице. [4]
 |
Графики функций Fd ( v и Fv ( v ]. [5] |
На рис. 6.13 приведены кривые фототока на чистом ртутном электроде в 0 1 М растворе KF ( акцептор N20) и на том же электроде, покрытом цетиловым спиртом в результате натирания поверхности ртути под раствором кристалликом этого органического вещества. При потенциалах от - 0 6 до - 1 2 в адсорбция спирта уменьшает фотоэмиссионный ток в десятки раз. Подъем тока при - 1 2 б и выход на кривую 1 ( для чистого электрода) объясняется разрушением слоя цетилового спирта при большом отрицательном заряде поверхности электрода. [6]
 |
Кривые / 4 - ф в 0 01 М рас. [7] |
Снижение фототока при адсорбции анионов связано прежде всего с влиянием г) - потенциала на фотоэмиссию, и если бы влияние анионов сводилось лишь к этому, то по соответствующему сдвигу кривых фототока можно было бы определить изменение г з - потенциала при адсорбции и рассчитать таким образом потенциал во внешней плоскости Гельмгольца. [8]
Из изложенного видно, что потенциал нулевого заряда электрода является в некоторых отношениях выделенной точкой, и это ярко проявляется, в частности, при исследовании фотоэмиссии в разбавленные растворы электролитов. Мы видели, что кривые фототока для разных концентраций электролита при постоянной концентрации акцептора пересекаются при потенциалах, близких к потенциалам нулевого заряда: - 0 43 в на ртути [165], - 0 9 0 04 в на индии [156], - 0 85 0 04 в на свинце [167], - 0 63 0 02 в на висмуте. Сопоставление кривых при разных концентрациях электролита позволяет, таким образом, найти по точке пересечения этих кривых потенциал нулевого заряда. [9]
Кривые получены для тонкого образца ( 0 5 мкм) при температуре 204 К. При увеличении напряженности поля кривые нестационарного фототока приобре -, тают отчетливо недисперсионный характер. В последнем случае на кривой 2 появляется излом, соответствующий моменту пролета носителей заряда. Результаты, представленные на рис. 2.4.4, показывают, что полевую зависимость сечений захвата и времени освобождения носителей из ловушек необходимо учитывать даже для случая слабых полей. [10]
В последующих опытах, проводившихся с 1 М растворами КС1, КВг и KI, из которых каждый содержал 0 1 М НС1, пороговые потенциалы составляли приблизительно - 0 43, - 0 50 и - 0 63 в соответственно. По мере того как потенциал становился более отрицательным, кривые фототока в растворах хлоридов и бромидов становились почти совпадающими, а фототок в растворе иодида даже при весьма отрицательных потенциалах был слишком мал. Можно предположить, что это расхождение было вызвано поглощением света иодом, фотохимически образованным в растворе. Очевидно, наличие на поверхности при постоянном потенциале сильно адсорбированных анионов повышает эффективную работу выхода с этой поверхности. [11]
 |
Кривые поглощения фосфоров NaCl-Ag в зависимости от концентрации активатора. а - NaCl 0 0005 Ag. б - NaCl 0 025 Ag. в-после выдержки фосфора ( б в темноте в течение 20 часов. [12] |
Заметив, что полоса 465 m i близка к полосе селективного фотоэффекта калия, Н. Г. Политов полагает, что указанные центры обусловлены коллоидными частицами щелочного металла, образование которых облегчается при введении в кристалл примесных ионов тяжелых металлов. Совпадение же максимума селективного фотоэффекта с максимумом полосы 465 т-л следует считать случайным, так как известно, что в случае коллоидных частиц в ще-лочно-талоидных кристаллах кривая фототока не находится ни Б каком соответствии с кривой поглощения. [13]
Идея использования фотоэлемента для оценки качества коммутации возникла сравнительно давно, но первые опыты с применением приборов, в которых датчиком является фотоэлемент, не дали обнадеживающих результатов. В монографии С. Б. Юдицкого приведены кривые фототока искрения, на основе которых он сделал попытку установить зависимость балльности искрения щеток от амплитудных значений фототока, записанного шлейфовым осциллографом. [14]
Страницы: 1