Адсорбированный атом

Cтраница 1

Эмиссия электронов при падении ионов гелия на поверхность различных металлов. [1]

Адсорбированный атом может покинуть нагретую поверхность как в атомном, так и в ионизованном состоянии. [2]

Адсорбированные атомы, связанные с подложкой вандервааль-совыми или кулоновыми силами, мигрируют по поверхности из одного положения равновесия ( минимума потенциальной энергии) в другое. [3]

Адсорбированный атом обладает, естественно, различной реакционной способностью в зависимости от того, каков характер его связи с поверхностью. В первом приближении можно считать, что только те из адсорбированных атомов реакционноспособны, которые находятся в этом последнем состоянии. При этом величина т ] 0 может рассматриваться как характеристика реакционной способности адсорбированного атома. [4]

Адсорбированные атомы создают на поверхности энергетические уровни, которые изменяют параметры существующей системы уровней неадсорбционного характера. Уровни адсорбированных атомов в зависимости от их типа и свойств кристалла располагаются в разрешенных или запрещенной зонах. Они могут быть до-норного и акцепторного типа. [5]

Каждый адсорбированный атом может переходить из состояния слабой в состояние прочной гомеополярной или в состояние ионной связи и обратно и н случае установившегося равновесия обладает некоторой средней продолжительностью жизни в каждом состоянии. [6]

Если адсорбированные атомы или молекулы локализованы в определенных местах на плоской и однородной поверхности кристалла, то значительную роль может играть также соотношение параметров решетки и размеров молекулы. При одной и той же поверхности с одними атомами или молекулами может получиться изотерма Лэнгмюра, а при других размерах атомов или молекул она может быть искажена. Поэтому нам представляется, что на основании только одного какого-либо определения изотермы или кинетики каталитического процесса нельзя с достаточной надежностью сделать вывод о строении поверхности. [7]

Когда адсорбированный атом образует химическую связь с гибрадизованной орбиталью оборванной связи, то в некоторых узлах, которые в противном случае были бы заряженными, образуются нейтральные поверхностные молекулы ( см. рис. 10 6), Нейтральным может стать узел любого типа, однако из электростатики следует, что энергетически выгодной является ситуация, когда нейтральность имеет место почти с одинаковой вероятностью на узлах обоих тшшв. Таким образом, плотность и высокшнергетичекжих, и низкоэнергетических гибридизо ванных состояний на поверхности должна уменьшаться с ростом степени покрытия. Наличие электростатических сил приводит к образованию на поверхности конденсата в виде поверхностных капель нейтральных узлов, оставляя в других местах сверхструктуру ( 2X1) нетронутой. [8]

Если адсорбированные атомы или молекулы занимают те же места в решетке, что и атомы твердого тела, то новые отражения не появляются, но распределение интенсивности изменяется. Если такой электроотрицательный адсорбат, как кислород, остается на поверхности в аморфной форме, то работа выхода увеличивается. Если затем в результате увеличения температуры, давления или времени он входит в состав поверхности путем обмена местами, работа выхода уменьшается и появляются новые дифракционные пятна, указывающие на изменение структуры. Эти и другие поверхностные структуры образуются при экспозициях, слишком малых для образования структур N10 или окиси никеля. При несколько больших экспозициях структура N10 образуется даже при комнатной температуре. Образование обменных и окис-ньтх структур сильно облегчается присутствием дефектов решетки. [9]

Зависимость теплоты адсорбции водорода на металлах от вклада. [10]

Такие адсорбированные атомы должны понижать электросопротивление пленки и работу выхода. Поверхностные дефекты, например вакансии, границы зерен, примеси, должны представлять места для s - адсорбции со сравнительно низкой энергией. Модели подобного рода представляют ценность для ориентации будущих экспериментальных исследований [79], необходимых для более полного описания процесса хемосорбции. [11]

Одиночный адсорбированный атом пара, согласно теории Я. И. Френкеля, попадая на подложку, остается на ней в течение очень малого промежутка времени, после чего он может вновь испаряться с поверхности подложки. Если число атомов ( п), попадающих в единицу времени на поверхность подложки, не очень велико, то оно компенсируется числом испаряющихся атомов, и числЬ адсорбированных поверхностью атомов остается неизменным. При увеличении числа атомов, попадающих в единицу времени на поверхность подложки, выше некоторого критического значения ( v VK) или при уменьшении температуры подложки ниже критической температуры конденсации ( Т С Тк), на поверхности подложки начинается процесс конденсации в виде атомных дуплетов или более сложных образований, для которых вероятность вторичного испарения меньшая. [12]

Потенциальные кривые для. [13]

Размер адсорбированного атома меньше размера гидрати-рованного иона, и точка В, в которой находится в равновесии центр атома, лежит ближе к поверхности. Кривая аа характеризует собой изменение энергии системы Н Н2О при удалении протона из устойчивого равновесного состояния А. Кривая ЪЪ представляет собой изменение энергии при смещении адсорбированного атома водорода от своего равновесного положения В. [14]

Электроны адсорбированных атомов взаимодействуют в этих системах с коллективом электронов адсорбента. В случае полупроводников важно, является ли адсорбированный атом акцептором или донором электронов. В первом случае электрон из заполненной зоны переходит па атом, во втором электрон атома переходит в зону проводимости ( см. гл. [15]

Страницы: 1 2 3 4