Cтраница 1
Доля конденсирующихся атомов или молекул может изменяться в пределах от единицы до весьма малой дроби. [1]
Причиной повышенной адгезии является значительный запас энергии у конденсирующихся атомов вещества. [2]
Преимущества метода ионного осаждения по сравнению с термическим напылением в вакууме заключаются в следующем: имеется возможность обрабатывать ионной бомбардировкой подложку и поддерживать ее чистой до момента осаждения покрытия; хорошая адгезия покрытия может быть получена и без предварительного нагрева подложки ( за счет высокой энергии конденсирующихся атомов и интенсификации процесса диффузии и химических реакций); достигается высокая степень равномерности покрытия по толщине и увеличивается коэффициент использования паров металла. [3]
Управление составом кристалла, который образуется конденсацией паров нескольких элементов, является одной из наиболее трудных задач. Коэффициент конденсации зависит от природы конденсирующихся атомов; значит состав образующегося кристалла не идентичен составу паровой фазы и должен зависеть также от природы подложки. Создание многокомпонентной паровой фазы заданного состава также сопряжено со значительными трудностями. [4]
Адсорбированные на поверхности молекулы остаточных газов могут влиять двояко на коэффициент конденсации. Если количество адсорбированных молекул мало и не образует монослоя, то они, отбирая часть энергии у конденсирующихся атомов, могут увеличить значения а. [5]
Здесь Л / имеет смысл результирующей скорости сублимации в условиях, позволяющих частичную конденсацию испарившихся атомов. В другом предельном случае Р Ре ( термодинамическое равновесие) 7V 0, так как потоки сублимирующих и конденсирующихся атомов на рассматриваемой поверхности взаимно скомпенсированы. [6]
В специально сконструированном электронном проекторе Мюллер [16] напылял вольфрам с накаленной проволоки на монокристаллическое острие и наблюдал его эмиссионное изображение на экране. Эти изображения отчетливо показывают, что участки, на которых адсорбируются атомы вольфрама, в значительной степени определяются температурой острия во время напыления вольфрама и типом грани, о которую ударяются конденсирующиеся атомы. Эти грани обычно характеризуются самой низкой электронной эмиссией, но после быстрого и неравномерного осаждения на них вольфрама эмиссия сильно увеличивается. Для этого имеются две причины. Во-первых, вследствие неправильной формы кристаллитов локальная напряженность поля сильно повышена. [7]