Доля - электрон
Cтраница 3
С уменьшением напряжения ( например, от Uai до UUI на рис. 67) потенциальный минимум понижается и уменьшается доля электронов эмиссии, обладающих энергией, достаточной, чтобы преодолеть этот потенциальный минимум и с помощью ускоряющего поля достигнуть анода. Таким образом, наклонный участок характеристики диода объясняется действием пространственного заряда электронов, который отбрасывает часть электронов на катод. [31]
С увеличением степени локализации валентных электронов у атомов переходных металлов усиливается связь Me - Me, имеющая ковалентный характер, уменьшается доля электронов, способных переходить на р-состояния, соответственно снижается энергия связи Me - Си, следовательно, понижается вероятность образования и термодинамическая устойчивость карбидных фаз. Выше уже указывалось, что при переходе от карбидов переходных металлов IV группы к карбидам металлов V и VI групп энергия ковалентных связей Me - Me увеличивается, что приводит у карбидов металлов VI группы к резкому ослаблению связей MeVI - С, а в целом - к экстремальным свойствам карбидов ниобия и тантала, обладающих максимальными энергиями атоми-зации, температурами плавления, химической устойчивостью, благодаря оптимальному соотношению величин энергии связи Mev - Mev и Mev - С. [32]
Принято считать [7], что микротвердость и микрохрупкость тугоплавких соединений существенно определяются статистическим весом стабильных электронных конфигураций атомов металла и неметалла, а также долей электронов, переходящих в коллективизированное состояние. [33]
Отличается он от описанного выше радиоионизационного метода лишь тем, что в нем изменение поля отрицательных зарядов вызывает не повышение скорости рекомбинации зарядов, а увеличение доли эмиттируемых электронов, возвращающихся на катод. [34]
Мне хотелось бы обратить внимание на то, что если не обходить известного физического факта - электропроводности жидких диэлектриков под облучением, а наоборот, считать, что некоторая доля электронов уходит от ионов, можно объяснить некоторые экспериментальные данные, которые известны в области радиационной защиты и сенсибилизации. Предположим, что электрон уходит от иона в результате первичного элементарного акта и затем в жидкости происходит диффузия ионов и электронов. Положительный или отрицательный заряд может быть захвачен молекулой с большим сродством к тому или другому виду заряда, и после этого рекомбинация ионов будет происходить с меньшим энергетическим выходом. Другая возможность состоит в том, что рекомбинация успеет произойти до того, как дырка или электрон будут захвачены. Вопрос при такой постановке сводится к оценке того, какие концентрации акцептора достаточны, чтобы при разумных мощностях дозы, с которыми обычно ведется работа, успевали происходить акты захвата. Оценим это с помощью самых простых кинетических уравнений, ибо думаю, что теоретические усложнения при тех реальных экспериментальных сведениях, которые мы имеем, пожалуй, скорее запутывают вопрос, чем проясняют его. [35]
Поскольку эмиттируемые электроны имеют различные скорости и, следовательно, различные кинетические энергии ( хотя в среднем кинетическая энергия свободных электронов пропорциональна температуре эмиттера 7), то при увеличении высоты потенциального барьера доля электронов, которые смогут преодолеть этот барьер, уменьшится и тем самым уменьшится и плотность тока эмиссии по сравнению с плотностью тока при эмиссии в свободный вакуум. [36]
В случае большой скорости выхода, как видно из (4.3.1.14), соотношение [ k ( hv) L ( E) ] / [ l k ( hv) L ( E) представляет собой долю электронов, достигающих фронтальной поверхности. Далее, учитывая, что величина в скобках может быть интерпретирована по аналогии с диффузией экситонов, имеем L VDr или D / LL / r vD, где VD можно определить как скорость диффузии экситонов от поверхности. Следовательно, VD / V будет приблизительно характеризовать относительный вклад отражения и рассеяния. В случае движения горячих электронов величину D необходимо определить заново, поскольку термодинамическое равновесие при этом не соблюдается, однако отношение D / L приобретает теперь дополнительный смысл по сравнению со случаем движения экситонов. [37]
Пологий ход кривой указывает на то, что электроны вылетают из катода с различными по величине скоростями. Доля электронов, отвечающая силе тока при U - 0, обладает скоростями, достаточными для того, чтобы долететь до анода самостоятельно, без помощи ускоряющего поля. Для обращения силы тока в нуль нужно приложить задержи в. При таком напряжении ни одному из электронов, даже обладающему при вылете из катода наибольшим значением скорости vm, не удается преодолеть задерживающее поле и достигнуть анода. [38]
Если ширина запрещенной зоны невелика, то тепловое движение атомов может сообщить некоторым электронам энергию, достаточную для перехода через запрещенную зону, тогда вещество имеет некоторую электропроводность - является полупроводником. Доля электронов, переходящих в свободную зону - зону проводимости, быстро возрастает с повышением температуры; этим объясняется сильное возрастание электропроводности полупроводников при нагревании. [39]
Этот процесс возможен, однако, лишь вблизи § тах в полосе температурного размытия порядка 2 КГ. Поэтому доля электронов ( определяемая величиной отношения Г / Гвырождевия), претерпевающих такое опрокидывание, оказывается весьма незначительной. [40]
Для толстых слоев вещества рассчитывают поглощение электронов в слое вещества. Находят долю непоглощенных электронов и затем вносят поправки. [41]
При абсолютном нуле все электроны проводимости входят в состав сверхтекучей жидкости. С ростом температуры доля электронов, входящих в состав сверхтекучей жидкости, уменьшается и, наконец, при критической температуре обращается в нуль. [42]
В карбидах переходных металлов IV группы периодической системы элементов основная часть валентных электронов атомов металла ( в рамках модели химической связи, принятой в [11]) осуществляет направленные связи с валентными электронами углерода. В результате этого доля электронов, отвлекаемых на связи Me-Me, в решетке этих карбидов незначительна. Следовательно, связи Me-Me в них слабы. Предполагая независимость энергии единичной связи Me-С от числа и взаимного расположения вакансий, легко видеть, что уменьшение количества углерода в карбиде в пределах области гомогенности приведет к линейному уменьшению суммарной прочности связи Me-С за счет уменьшения числа единичных связей Me-С. Но так как связи Me-Me в решетках этих карбидов слабы, то процесс их усиления не будет заметно сказываться на характере изменения суммарной прочности химической связи в карбиде с составом. [43]
Окончательное изображение в микроскопе формируется на флуоресцирующем экране или фотопластинке. Контраст изображения определяется долями электронов, рассеянных на микроучастке и прошедших через апертуру. При получении изображений достаточной яркости непосредственно в электронном микроскопе с увеличением в несколько сот тысяч раз плотность тока на объекте должна достигать нескольких ампер на сантиметр в квадрате. Чтобы уменьшить нагрев образца, приходится сильно уменьшать облучаемую область до размеров нескольких микрометров. Важным достоинством электронного микроскопа является большая глубина резкости, превосходящая почти на три порядка глубину резкости оптического микроскопа. [44]
 |
Фотоэлемент с внешним фотоэффектом. [45] |
Страницы: 1 2 3 4 5