Доля - энергия
Cтраница 2
Доля энергии когезии, обусловленная водородными связями. [16]
Доля энергии когезии, обусловленная диполь-дипольным взаимодействием. [17]
Доля энергии когезии, обусловленная дисперсионным взаимодействием. [18]
Доля энергии когезии, обусловленная водородными связями. [19]
Доля энергии когезии, обусловленная диполь-дипольным взаимодействием. [20]
Доля энергии местного производства в общем ее потреблении сократится с 15 % в 1970 г. до 7 5 % в 1985 г. В частности, доля гидроэлектроэнергии уменьшится, несмотря на предполагаемое увеличение ее выработки, почти наполовину. [21]
Доля энергии первичных фотонов, переданная электронам ( компто-новским электронам) на 1 электрон. [22]
Доля энергии освещающего пучка, фокусируемая в j - м порядке, пропорциональна квадратам модулей коэффициентов Фурье Cj. Такой нелинейности соответствует фазовая функция двухпорядковой дифракционной решетки, концентрирующей излучение в 1 - м и - 1 - м порядках. [23]
 |
Теплообмен излучением в случае параллельно расположенных поверхностей.| Теплоотдача излучением в случае цилиндрически расположенных поверхностей. [24] |
Доля энергии падающих лучей, поглощенная телом, обозначается буквой А: она характеризует поглощение льну ю способность поверхности тела. [25]
Эта доля энергии, переставшая существовать в виде энергии излучения, определяется вероятностью поглощения кванта при взаимодействии с частицей. [26]
Хотя доля энергии, пошедшей на образование структурных дефектов, обычно мала по сравнению с энергией, расходуемой на создание возбужденных электронных состояний, все же результатами структурных нарушений нельзя пренебрегать при изучении активации под действием облучения. Самым важным фактором является отношение стационарной концентрации электронных возбужденных состояний к концентрации структурных дефектов. Это отношение зависит как от природы радиации, так и от интенсивности облучения. [27]
Однако доля энергии, теряемая при упругих столкновениях, очень мала. [28]
Какая доля энергии этого излучателя приходится на видимую область спектра. [29]
Хотя доля энергии, пошедшей на образование структурных дефектов, обычно мала по сравнению с энергией, расходуемой на создание возбужденных электронных состояний, все же результатами структурных нарушений нельзя пренебрегать при изучении активации под действием облучения. Самым важным фактором является отношение стационарной концентрации электронных возбужденных состояний к концентрации структурных дефектов. Это отношение зависит как от природы радиации, так и от интенсивности облучения. [30]
Страницы: 1 2 3 4