Доля - поглощенная энергия
Cтраница 2
Оптическое излучение при взаимодействии с кристаллом полупроводника частично поглощается, частично отражается от его поверхности или проходит через кристалл без поглощения. Доли проходящей, отраженной и поглощенной энергии излучения оценивают для полупроводниковых материалов соответствующими коэффициентами. [16]
 |
Зависимость вязкости армко - jj. f Ml1a - c железа от скорости сдвига и темпе-ратуры, К. [17] |
При ударе часть энергии, а иногда вся энергия, поглощается металлом. Некоторая доля поглощенной энергии идет на деформационное упрочнение, которое является общим свойством материала, характеризующим сопротивление дальнейшему деформированию. Изучение упрочнения представляет интерес, поскольку характер изменений микроструктуры материала, вызванных импульсной нагрузкой, совершенно отличается от характера изменений при статических нагрузках, и поскольку вследствие неравномерной упругопластической деформации в одном и том же теле могут иметь место различные степени упрочнения металла. [18]
Величина ocv называется коэффициентом поглощения. Так как доля поглощенной энергии av ds есть величина безразмерная, то коэффициент поглощения av имеет размерность, обратную длине. [19]
Под прямым долю поглощенной энергии в жидком ци-углом к электронному пучку проходит луч света, который затем попадает на фотоумножитель. [20]
Увеличение глубины слоя, который подвергается воздействию УФ-излучения, так же как и для покрытий с различным объемным содержанием пигмента, обусловливает возрастание потерь массы. Следовательно, увеличение доли поглощенной энергии за счет повышения объемной концентрации пигментов вносит основной вклад в снижение стойкости блеска покрытий. Увеличение степени дисперсности пигментов приводит к увеличению поглощения в поверхностном слое покрытий, снижению предельных толщин и соответственно увеличению потерь блеска и снижению потерь массы покрытий. [22]
Чем больше напряженность поля и время воздействия, тем в большей степени проявляются указанные эффекты. Увеличение частоты колебаний приводит к повышению проводимости тока, доли поглощенной энергии и снижению глубины проникновения волн. При Я, короче 10 см излучение в значительной степени поглощается кожей, а при 110 - 30 см большая часть поглощаемой энергии ( 60 - 70 %) проникает во внутренние органы. Такое излучение особенно вредно. [23]
 |
Схема электронных переходов ( отмечены цифрами при внешнем тушении ( тушитель - глубокая электронная ловушка Т. [24] |
Допустим, теперь, что центр В является центром тушения. Это означает, что рекомбинация захваченной им дырки с электроном происходит без излучения, или, как говорят, безы-злучательно. В результате доля поглощенной энергии, превращающаяся в испускаемый люминофором свет, уменьшается - происходит тушение, которое называется внешним, поскольку оно связано с переходами вне центра свечения. Из того, что было сказано о рекомбинационном взаимодействии двух типов центров, ясно, что доля безызлучательных переходов будет расти с увеличением температуры и уменьшением интенсивности возбуждения, причем на послесвечение тушители должны оказывать большее действие, чем на свечение в процессе возбуждения. Это имеет ряд важных следствий, широко используемых в практике синтеза технических кристалло-фосфоров. Так, введением в ZnS-Ag и ZnS CdS-Ag - люминофоры незначительного количества, порядка 10 - 5 - 10 - 6 %, такого тушителя, как никель, удается резко снизить послесвечение. [25]
Демпфирующие устройства классифицируют по энергоемкости и демпфирующей способности. Энергоемкость определяется наибольшим количеством потенциальной энергии, которое способен аккумулировать упругий элемент демпфера. Под демпфирующей способностью понимается доля необратимо поглощенной энергии. Некоторые сорта технической резины за цикл могут поглощать 40 - 70 % энергии. [26]
Демпфирующие устройства классифицируют по энергоемкости и демпфирующей способности. Энергоемкость определяется наибольшим количеством потенциальной энергии, которое способен аккумулировать упругий элемент демпфера. Под демпфирующей способностью понимается доля необратимо поглощенной энергии. Некоторые сорта технической резины за цикл могут поглощать 40 - 70 % энергии. [27]
Атомы не задерживаются долго на высоких уровнях; возвращаясь в исходное состояние, они отдадут поглощенную энергию в виде излучения. Если падающая на единицу площади в 1 с энергия есть р, то поглощенная будет Лр. Безразмерный коэффициент А, указывающий долю поглощенной энергии, называется поглощениельной способностью тела. [28]
Атомы не задерживаются долго на высоких уровнях; возвращаясь в исходное состояние, они отдадут поглощенную энергию в виде излучения. Если падающая на единицу площади в 1 с энергия есть р, то поглощенная будет Лр. Безразмерный коэффициент Л, указывающий долю поглощенной энергии, называется поглощательной способностью тела. [29]
Процессы фотохимического и радиационного распада различаются распределением поглощаемой энергии. Фотоны видимой и ультрафиолетовой частей спектра поглощаются в поверхностных слоях вещества, вследствие чего фотохимические реакции являются преимущественно негомогенными; каждый квант участвует только в одном первичном акте взаимодействия с определенными атомами или связями макромолекул. Ионизирующие излучения высокой / нрони-кающей способности обусловливают протекание радиационно-хими-ческих реакций в облучаемой среде достаточно равномерно по всему объему вещества. Доли поглощенной энергии излучения, расходуемые на ионизацию и возбуждение, примерно одинаковы. [30]
Страницы: 1 2 3