Cтраница 1
Кривизна траектории электронов будет увеличиваться, как показано на рис. 74, до тех пор, пока при некоторой напряженности поля H Hk электронный ток в анодной цепи совсем не прекратится. [1]
Радиус кривизны траектории электрона определим исходя из следующих соображений: на движущийся в магнитном поле электрон действует сила Лоренца F. [2]
Сравните радиусы кривизны траектории электрона и протона, если: а) двигаясь с одинаковой скоростью и, они влетают в однородное магнитное поле с индукцией 0 1 Тл перпендикулярно к силовым линиям; б) пройдя одну и ту же разность потенциалов, они влетают в магнитное поле. [3]
Наличие осевого магнитного поля позволяет по кривизне траектории электронов измерять их импульсы. [4]
В однородном магнитном поле электрон движется по окружности определенного радиуса. Уменьшается или увеличивается радиус кривизны траектории электрона при медленном возрастании индукции магнитного поля. [5]
В однородном магнитном поле электрон движется по окружности определенного радиуса. Уменьшается или увеличивается радиус кривизны траектории электрона при медлен-ном возрастании индукции магнитного поля. [6]
Почему на фотопластинке, полученной при работе с пузырьковой камерой, треки электронов малой энергии представляют собой спирали. Другими словами, почему радиус кривизны траектории электрона меняется в постоянном магнитном поле, в котором помещена камера. [7]
При наложении поперечного магнитного поля, перпендикулярного электрическому полю в темном пространстве, электроны пересекают темное пространство не по прямой, а по искривленной траектории, в результате чего толщина этой области уменьшается. Это оси бенно важно, когда кривизна траектории электронов достаточно велика, так что электроны, эмнттированные с катода, не достигают края области отрицательного свечения. Следовательно, практическое использование ионного распыления с поперечным магнитным полем не представляет интереса. [8]
Магнитное поле, индукция которого В 5 гс, направлено перпендикулярно электрическому полю, на - пряженность которого Е 10 в.см. Пучок электронов, летящих с некоторой скоростью и, влетает в простран-и ство, где расположены эти поля, причем скорость электронов перпендикулярна плоскости, в которой лежат векторы Е и В. Найти: 1) скорость электронов v, если при одновременном действии обоих полей пучок электронов не испытывает отклонения, 2) радиус кривизны траектории электронов при условии включения одного магнитного поля. [9]
Пучок электронов, летящих с некоторой скоростью и, влетает в пространство, где расположены эти поля, причем скорость электронов перпендикулярна плоскости, в которой лежат век - торы Е и В. Найти: 1) скорость электронов и, если при одновременном действии обоих полей пучок электронов не испытывает отклонения, 2) радиус кривизны траектории электронов при условии включения одного магнитного поля. [10]
Фактически / - фокусное расстояние тонкой магнитной линзы, действие которой эквивалентно действию поля рассеяния. Расстояние f отсчитывается от начала однородной области. В первом приближении оптическая сила линзы зависит лишь от угла падения и радиуса кривизны траектории электрона в однородном поле, но не зависит от характера поля рассеяния. [11]