Резонансный атом

Cтраница 1

Резонансные атомы под действием света, получив направленный импульс от световых квантов, перейдут в дальнюю камеру. [1]

Отношение интенсивностей линий в мультиплете равно отношению чисел резонансных атомов в каждом неэквивалентном положении. [2]

Поэтому если EI веществе ( или различных веществах) содержатся одинаковые резонансные атомы, но в различном окружении, то резонансный эффект для этих атомов наблюдается при различных значениях напряженности магнитного поля. [3]

В ряде работ по ЯКР были сделаны попытки связать сдвиги частот ЯКР резонансных атомов с их химическими свойствами. [4]

Аналогичная величина ( - 0 3 %) может быть найдена при анализе формы линии в аморфных телах с химически эквивалентными резонансными атомами и межмолекулярными взаимодействиями типа вандерваальсовых. Таким образом, появление при обработке по методу наименьших квадратов в пределах исследуемого ряда соединений этой степени спектральной неопределенности ( - 0 3 %) должно свидетельствовать о том, что учтены все отклонения частот химической природы, превышающие эффект кристалла или носящие систематический характер. [5]

Используя технику температурных функций Грина, Вдовин и Галицкий [121] нашли поперечную часть тензора поляризуемости, связанную, как известно, с диэлектрической проницаемостью е ( о) газа резонансных атомов. В свою очередь, Im e определяет форму контура линии поглощения. Новым элементом в работе [121] является подробное рассмотрение резонансных линий, испытывающих, помимо уширения, сдвиг в спектре. Для линий, соответствующих переходам между возбужденными состояниями, из которых лишь одно связано резонансно с основным, сдвиг равен нулю. Что же касается профиля линии, то в том и другом случае он близок к дисперсионному. Метод расчета, развитый в [121], позволяет также исследовать случай инверсной заселенности уровней и определить полосу частот, в которой имеет место генерация. [6]

Плотность атомов. а - / i ( r, t 2. б. [7]

В заключение упомянем о том, что резонансное взаимодействие, отвечающее за отклонение атомов, может при некоторых условиях приводить также к отклонению пучков света, проходящих сквозь газ резонансных атомов. [8]

Известно, что наблюдается значительное уширение резонансного спектра в результате перехода кристалл - стекло. Это обычно связывается или с изменением зарядового состояния части резонансных атомов, или с возрастанием величины квадрупольного расщепления на ядрах резонансных атомов, или, наконец, с нарушением строгой упорядоченности в расположении ближайших к резонансному центру атомов. [9]

Этот результат имеет простой физический смысл. Действительно, так как y2l ku, с излучением взаимодействуют лишь резонансные атомы, причем ширина провала Беннета есть уи. [10]

Спектры ЯК. Р монокристаллов CdSd, легированных теллуром. [11]

В общем случае каждому образующемуся в данной системе соединению должен соответствовать индивидуальный спектр ЯКР. Правда, при некоторых структурных особенностях соединений, таких, как высокосимметричное окружение резонансного атома или статистическая неупорядоченность кристаллографических позиций, спектр ЯКР может не наблюдаться. [12]

Это позволяет надеяться на обнаружение очень небольших изменений электронного распределения в молекулах при образовании комплекса. Однако, к сожалению, в наблюдаемые значения ККВ помимо валентных электронов на резонансном атоме вносят вклад и другие факторы, и поэтому ее изменения при комплексообразовании и роль этих факторов трудно предсказуемы. К последним относятся: 1) вклад остальных электронов молекулы, которые также испытывают влияние комплексообра-зования; 2) влияние соседних молекул; 3) влияние молекулярного движения, которое усредняет ККВ резонансного ядра. Все эти эффекты ограничивают точность оценки влияния комплексообразования на распределение валентных электронов. Столь сильные ограничения на применение спектроскопии ЯКР к изучению электронного распределения должны учитываться при обсуждении экспериментальных результатов. Вместе с тем спектроскопия ЯМР имеет еще другие возможности, связанные с влиянием температуры, давления и магнитного поля на ККВ, а также с влиянием температуры на время релаксации, и они с успехом используются при определенных обстоятельствах для изучения молекулярных комплексов. Со времени первого наблюдения ЯКР в комплексах [50] были проведены многие исследования и получены интересные результаты, достойные того, чтобы их проанализировать здесь. [13]

Заряды, удаленные от резонансного ядра, также вносят свой вклад в ГЭП, но в меньшей степени, и в первом, обычно удовлетворительном приближении ими можно пренебречь. Химики-теоретики изучают молекулы приближенными методами теории МО ЛКАО и получают заселенности валентных орбиталей на резонансном атоме для сопоставления с экспериментальными результатами или же, пользуясь неэмпирическими методами, выполняют прямые вычисления компонент тензора ГЭП. [14]

Основным упрощением в этой теории является пренебрежение всеми прямыми вкладами в градиент поля от несоседних атомов. Учитываются только непрямые эффекты, производимые соседними валентно не связанными атомами или группами путем деформации электронной оболочки резонансного атома. [15]

Страницы: 1 2