Кристалл - карбид - кремний
Cтраница 4
 |
Значения множителя а.| Кинетические зависимости роста.| Энергия активации и частотные множители. [46] |
Параметры слоев, получаемых на кристаллах карбида кремния термическим оксидированием, аналогичны параметрам слоев, получаемых на кремнии, а их толщины могут быть оценены по цветовым тестам, составленным для процессов оксидирования кремния. [47]
Одним из наиболее перспективных методов выращивания кристаллов карбида кремния полупроводниковой чистоты и совершенных по своей структуре является метод сублимации. Указанный метод, предложенный впервые в работе [8], заключается в разложении поликристаллической массы при температурах порядка 2300 - 2600 С и выкристаллизации в виде пластинок в более низкой области температур. [48]
Одним из наиболее перспективных методов выращивания кристаллов карбида кремния полупроводниковой чистоты и совершенных по своей структуре является метод сублимации. Указанный метод, предложенный впервые в работе [8], заключается в разложении поликристаллической массы при / температурах порядка 2300 - 2600 С и выкристаллизации в виде пластинок в более низкой области температур. [49]
 |
ВАХ одного из варисторов. [50] |
В - коэффициент температурной чувствительности поверхностных слоев кристаллов карбида кремния. [51]
 |
Вольт-амперные характеристики двух варисторов. [52] |
Для изготовления варисторов используют порошок, состоящий из кристаллов карбида кремния, скрепленный связующим веществом. [53]
 |
Температурная зависимости.| Спектральная характеристика излучения светодиодов на основе коисталлов карбида кремния. [54] |
Для разных светодиодов, изготовленных методом диффузии бора в кристаллы карбида кремния n - типа, спектры электролюминесценции близки. На рис. 7.10 показан спектр электролюминесценции светодиодов на основе кристаллов карбида кремния. Спектр излучения слабо зависит от тока через светодиод и от температуры. Яркость излучения светодиодов на основе карбида кремния при плотности тока 103 а / м2 составляет 20 - h - 50 нит. [55]
Страницы: 1 2 3 4