Кристалл - синтетический кварц
Cтраница 1
Кристаллы природного и синтетического кварца, как и любые другие кристаллы, образующиеся из раствора, самоограняются в процессе роста. Габитус кристаллов кварца в том случае, если они растут на точечных затравках, в основном определяется отношением скоростей роста комплекса наиболее медленно нарастающих граней. Для природных кристаллов основными га-битусными гранями, как правило, являются грани т, R и г. Иногда на кристаллах присутствуют в подчиненном развитии ге-лиэдрические грани отрицательной дипнрамиды 1121, тригональ-иого трапецоэдра ( чаще всего 5161) и острейших ромбоэдров с различными символами. [1]
Были исследованы кристаллы синтетического кварца с примесью кобальта, окрашенные в желтый цвет. Отжиг при температуре Г500 С изменяет окраску на синюю. Дальнейший отжиг при Г550 С приводит к интенсивному замутнению таких кристаллов. Спектры оптического поглощения исходного и отожженного образца приведены на рнс. Электронно-микроскопическое исследование желтых, синих и замутненных кристаллов показали, что в них содержится коллоидно-дисперсная неструктурная примесь размером 30 - 50 нм ( плотность 1012 см-2) в исходных и - 100 нм ( 1011 см-2) - в отожженных образцах. [2]
Специфика роста кристаллов синтетического кварца заключается в выращивании не на точечных, а на пластинчатых затравках, Необходимость использования таких затравок связана с тем, что во всех обследованных физико-химических условиях синтеза кристаллы кварца практически не нарастают по граням т гексагональной призмы. Из точечной затравки образуется кристалл в виде иглы, вытянутой вдоль оси z, с поперечным сечением, равным сечению гексагональной призмы, описанной вокруг этой затравки. [3]
Только в редких случаях кристаллы синтетического кварца используют в качестве драгоценных камней, так как природный горный хрусталь сравнительно недорог. [4]
Уже первые опыты по выращиванию кристаллов синтетического кварца показали, что они практически не нарастают по граням гексагональной призмы. Именно этим обстоятельством определяется необходимость использования протяженных перпендикулярно к оси г затравок для получения крупных кристаллов. Исследование морфологии граней m показало, что на этих гранях возможно только тангенциальное т-от-ложение вещества. Поэтому для нормального продвижения грани необходимы источники слоев. Такими источниками слоев могут быть винтовые дислокации, двойники и некоторые другие дефекты. [5]
Уже первые опыты по выращиванию кристаллов синтетического кварца показали, что они практически не нарастают по граням гексагональной призмы. Именно этим обстоятельством определяется необходимость использования протяженных перпендикулярно к оси z затравок для получения крупных кристаллов. Исследование морфологии граней m показало, что на этих гранях возможно только тангенциальное т-от-ложение вещества. Поэтому для нормального продвижения грани необходимы источники слоев. Такими источниками слоев могут быть винтовые дислокации, двойники и некоторые другие дефекты. [6]
 |
Рентгеновские топограммы - среза из кристалла с макроспиральиой акцессорной роста ( указана стрелкой. Рефлекс lOTl. [7] |
Таким образом, на поверхности пинакоида кристаллов синтетического кварца в одних и тех же условиях проявляются два различных механизма роста. При отсутствии дислокаций наблюдается нормальное отложение вещества с образованием характерной ячеистой структуры. Если же в кристалле имеются винтовые дислокации, кристаллизация происходит в основном по спирально-слоистому механизму. [8]
Эффект аномального плеохроизма дымчатой окраски в пирамидах г кристаллов синтетического кварца был обнаружен Л. И. Цинобером в 1961 г. В том же году А. В. Шубников опубликовал работу о симметрии и физических свойствах пирамид роста. [9]
 |
Переход бразильских двойников из пирамиды /. в г-компоненту дофинейского двойника. Ув. 5. [10] |
Недавно спонтанные бразильские двойники были обнаружены в пирамидах с кристаллов синтетического кварца. Новоселов, эти двойники образуются относительно редко при больших скоростях роста поверхности пинакоида. Для этих двойников также характерна / - ориентация двойниковой границы. [11]
 |
Полированный срез 1120 из г-кристалла синтетического кварца, облученного у-лучами. [12] |
Затравочная пластина, на которой производилось наращивание кристалла, изготавливалась из пирамиды пинакоида 0001 кристалла синтетического кварца, которая, как известно, не окрашивается при облучении. При наклоне же пластины вокруг любого направления, но так, чтобы луч зрения обязательно составил с ее поверхностью острый угол, наблюдается явление плеохроизма, а именно: изменение окраски кристалла от фиолетово-дымчатой до зеленовато-дымчатой. Однако изменение цвета в двух противолежащих пирамидах роста происходит во взаимно обратном порядке: в то время как одна из пирамид роста приобретает фиолетовый оттенок, другая окрашивается в зеленоватый цвет. Было также обнаружено, что эффект аномального плеохроизма обладает энан-тиморфизмом. В аналогичных препаратах, но приготовленных из левого и правого кварца, смена окрасок в пирамидах г происходит таким образом, что наблюдаемые картины могут быть получены путем отражения в плоскости симметрии. [13]
Данная зависимость получена в интервале температур роста 400 - 450 С для пирамиды г кристалла синтетического кварца, выращенного стандартным гидротермальным методом в 4 % - ном растворе NaOH. Кристаллы, выращенные при температуре выше 500 С, заведомо являются нормально дихроичными. Ряд экспериментальных данных свидетельствует о том, что степень упорядоченности распределения примеси зависит и от скорости роста, увеличиваясь по мере ее возрастания. [14]
 |
Полированный срез 1120 из г-кристалла синтетического кварца, облученного. [15] |
Страницы: 1 2