Кристалл - кремний
Cтраница 4
Если в кристалл кремния вместо атома кремния поместить атом фосфора, то один электрон фосфора не будет связан валентными связями и сможет покинуть кристаллическую решетку. Если в кристалл кремния вместо атома кремния поместить атом бора, то одна валентная связь бора будет свободна и способна будет захватить свободный электрон. В первом случае получается полупроводник и-типа, во втором - / - типа. Если к полупроводнику и-типа приложить электрическое поле, то свободные электроны образуют поток отрицательного заряда. Если к полупроводнику / ьтипа приложить электрическое поле, то дыры образуют поток положительного заряда. Если в одном кристалле создать зоны двух типов полупроводников, то свободные электроны из одной зоны могут занимать дыры другой зоны. [46]
Если в кристалл кремния введена примесь трехвалентного элемента алюминия или бора, то атомы примеси, имеющие только три валентных электрона, образуют с соседними атомами кремния три электронные пары. Для четвертой связи не хватает одного электрона. На рис. 59 показаны ядро 4 атома примеси и соседние четыре ядра / атомов кремния. [48]
 |
Схема образования тока в диоде. [49] |
Если в кристалл кремния вместо атома кремния поместить атом фосфора, то один электрон фосфора не будет связан валентными связями и сможет покинуть кристаллическую решетку. Если в кристалл кремния вместо атома кремния поместить атом бора, то одна валентная связь бора будет свободна и способна будет захватить свободный электрон. Если к полупроводнику - типа приложить электрическое поле, то свободные электроны образуют поток отрицательного заряда. Если к полупроводнику р-типа приложить электрическое поле, то дыры образуют поток положительного заряда. Если в одном кристалле создать зоны двух типов полупроводников, то свободные электроны из одной зоны могут занимать дыры другой зоны. [50]
Так как кристалл кремния столь небольшой толщины механи-чески непрочен, то во избежание деформаций и трещин при колеба-ниях рабочей температуры к кристаллическому диску ( до его присоединения к медным теплоотводам) припаиваются снизу и сверху пластинки 3 из никелированного вольфрама или молибдена, коэффициент расширения которых близок к коэффициенту расширения кремния. Эти пластины называют термокомпенсирующими. [51]
При очистке кристаллов кремния бестигельной зонной плавкой важным является увеличение производительности процесса. Это может быть достигнуто несколькими путями [234]: одновременным проведением вдоль стержня наряду с зоной сквозного проплавления дополнительных зон несквозного проплавления ( полузон); одновременной плавкой нескольких стержней ( групповой плавкой); увеличением диаметра очищаемого стержня; комбинацией указанных способов. [53]
Метод вытяшвааия кристаллов кремния в атмосфере инертного газа ие является вполге удовлетворительным, так как IB кристалле сохраняются частично компенсированные примеси, характерные для электронной ( л) и дырочной ( р) проводимости. [54]
При вытягивании кристаллов кремния из расплава воспроизводимость результатов значительно хуже, чем для германия. [55]
Удельное сопротивление кристаллов кремния / z - типа ( около 60 ом см при 300 К; кривая /) и германия - типа ( около 20 ом см при 300 К; кривая 2) в зависимости от величины, обратной температуре. [56]
 |
Зависимость контраста интерференции в отраженном свете от изменения толщины кристалла кремния в сечении светового пучка ( нормальное падение. Длина волны зондирования ( мкм. 1 15 ( 1, 1 52 ( 2. [57] |
Для серийно выпускаемых кристаллов кремния КЭФ-4. Одна из поверхностей каждого кристалла отполирована, высота микрорельефа Rz 0 05 мкм. Для получения статистики контраста на каждом образце зондировали ряд точек, расположенных вдоль произвольно выбранной линии на расстоянии 0 5 мм ( для D 0 1 и 0 3 мм), 1 мм ( для D 1 мм) и 2 мм ( для D 2 мм) друг от друга. [58]
Если в кристалле кремния часть атомов замещена атомами трехвалентного элемента, например индия, то атом индия может осуществлять связь только с тремя соседними атомами, а связь с четвертым атомом осуществляется лишь одним электроном. При этих условиях атом индия захватывает электрон у одного из соседних атомов кремния и становится отрицательным ионом. Захват электрона от одного из атомов кремния приводит к возникновению дырки. [59]
Страницы: 1 2 3 4