Кристалл - никель
Cтраница 2
Гидрат закиси и основные соли частично запутываются между кристаллами осаждающегося никеля, понижая его качество. [16]
 |
Зависимость между работой образования двумерных зародышей граней ( 100, ( 110, ( - 101 и пересыщением для тетрагональной решетки. [17] |
Рост катодной поляризации ведет к увеличению степени совершенства ориентации кристаллов никеля. Установлено, что изменения состава электролита, сопровождающиеся понижением активной концентрации ионов никеля в растворе и увеличением поляризации, ведут к образованию щикелевых осадков с возрастающей степенью совершенства текстуры. [18]
Пучок монохроматических электронов из электронной пушки Р падал на поверхность кристалла никеля ( рис. 2.7), структура которого была хорошо известна из данных рентгеноструктурного анализа. Рассеянные от кристалла электроны улавливались специальным электродом, присоединенным к чувствительному гальванометру. Приемник электронов мог перемещаться так, чтобы улавливать электроны, рассеиваемые иод различными углами. [19]
Пучок монохроматических электронов из электронной пушки Р падал на по-верхность кристалла никеля ( рис. 2.7), структура которого была хорошо известна из данных рентгеноструктурного анализа. Рассеянные от кристалла электроны улавливались специальным электродом, присоединенным к чувствительному галь-вано метру. Приемник электронов мог перемещаться так, чтобы улавливать электроны, рассеиваемые под различными углами. [20]
Таким образом, гидрогенизация происходит на углах и на ребрах кристаллов никеля, что находится в согласии с выводами Шваба Рудольфа [36], которые сравнивали скорость гидрогенизации со скоростью растворения никелевого катализатора. [21]
Таким образом, обнаружено явление принципиально различных свойств и функций граней кристалла никеля в процессе образования углерода, когда одни грани каталитически инициируют образование углеродных атомов, а другие определяют формирование их в графитовую структуру. [22]
Оценка плотности дислокаций по границам фрагментов и блоков при ползучести в кристаллах никеля выполнена в работе [41], в которой кроме моделей, использованных в 187 ], рассчитана также разо-ориентировка блоков по углам для случая биноминального распределения. [23]
Оценка плотности дислокаций по границам фрагментов и блоков при ползучести в кристаллах никеля / / Вопр. [24]
Следовательно, основная роль носителя и активатора сводится к образованию на поверхности кристаллов никеля сетчатой пленки, препятствующей спеканию их при температуре конверсии в малоактивный агрегат атомов. [25]
Электроны, движущиеся с данной скоростью, дифрагируются правильно расположенными атомами в кристалле никеля подобно пучку рентгеновских лучей и обладают следовательно свойствами электромагнитных волн. [26]
Некоторые из этих электронов проходят через малое отверстие в Я и падают па кристалл никеля. [27]
Этот факт нелегко объяснить с помощью модели жесткой системы пор, которая содержит кристаллы никеля в порах либо пленки никеля на стенках пор. Наконец, можно наблюдать, что удаление никеля сопровождается уменьшением объема пор V f вместо увеличения, которого следовало ожидать. [28]
Эта величина, по-видимому, указывает также на то, что исследованные нами кристаллы никеля в отношении их граней аналогичны кристаллам, предполагаемым Захтлером с сотрудниками [11] в случае пленок. [29]
В каждой из выделенных областей по-разному проявляется влияние пористой структуры носителя на размер кристаллов никеля, их количество, величину металлической поверхности. Изменение степени заполнения поверхности никелем ( а) в области мелкодисперсной структуры значительно ( около 50 %); в области средних размеров пор достигается минимум, а для широкопористых носителей наблюдается практическая независимость а от среднего радиуса пор. Можно предположить, что наличие в носителе пор, радиус которых равен 50 - 250 А, и пор с радиусом более 600 А будет особенно эффективным. [30]
Страницы: 1 2 3 4