Cтраница 2
Рассмотренные закономерности порообразования вакансионного типа не ограничиваются размером кристаллов в составе покрытия. Эти представления целиком применимы к эпитаксиальным монокристаллическим покрытиям и к покрытиям с кристаллами больших размеров. Для поликристаллических покрытий с кристаллами небольших размеров должны быть введены определенные уточнения, вытекающие из ограниченности размеров зерен. В первую очередь следует иметь в виду наличие дополнительных активных стоков вакансий в виде межкристаллитных границ и полей напряжений, возникающих в результате взаимодействия кристаллов в процессе роста. Разветвленная сеть межзеренных границ при повышенных температурах является концентратором вакансий, что приводит к преимущественному порообразованию вдоль границ относительно крупных зерен. Понижение температуры при сохранении размера зерен уменьшает порообразование вдоль границ. Если понижение температуры сопровождается уменьшением размера кристаллов, то порообразование наблюдается преимущественно только вдоль границ. В покрытиях, состоящих из нитевидных и столбчатых кристаллов, цепочки пор, как правило, пронизывают, покрытие насквозь. [16]
В настоящее время разрабатываются матрицы фотодатчиков контактного типа больших размеров с целью уменьшения размеров фототелеграфных передатчиков. Обычные фотодатчики, используемые сейчас в фототелеграфных передатчиках, представляют собой матрицы сенсоров, изготовленных по принципу зарядовой связи, которые интегрируются на кристаллах монокристаллического кремния. Поскольку промышленный выпуск кремниевых интегральных схем по мере роста размера кристалла снижается, необходимо стремиться к интеграции возможно большего числа фотодиодов на кристалле небольшого размера. Это приводит к уменьшению эффективной сенсорной площади каждого фотодиода, что уменьшает фоточувствительность. Более того, требования оптической системы уменьшить размер документов до размера фотодатчиков становятся все более жесткими по мере развития миниатюрных устройств. Возможно ухудшение периферийного разрешения из-за астигматизма линз и нельзя будет отказаться от длинного оптического пути в передатчике. [17]
Входной каскад ОУ обычно собирают по сложной дифференциальной схеме на биполярных или полевых транзисторах. Каскад работает в режиме микротоков, а его нагрузкой является внутренний генера стабильного тока, выполненный на одном или нескольких биполярных транз торах. Выходной каскад ОУ двухтактный, работающий в режиме В. Схема современ ных ОУ выполняется как интегральная микросхема в одном кристалле небольших размеров ( примерно 1 5Х 1 5 мм) и заключается в стандартный пластмассовый или металлический кожух с выводами для подключения внешних цепей. Питание ОУ осуществляется от источника напряжения с полюсами Т ( Упит и средней точкой. Входные напряжения и выходное напряжение определяются по отношению к средней точке источника питания, которая условно обозначается земля. Выход ОУ должен быть защищен от перегрузки и к.з.; кроме тех типов ОУ ( например, типа К553УД2), которые имеют внутреннюю встроенную защиту. [18]
В будущем, возможно, большую роль будет играть метод производства сульфата алюминия из каолина. Этот вид сырья более распространен в природе, чем боксит. Однако при использовании каолина позпикают трудности при удалении примесей и получении крупных кристаллов сульфата алюминия. Горнорудное управление США разработало метод, при котором процесс кристаллизации проводят в присутствии этилового спирта для предотвращения перенасыщения маточного раствора. Однако в этом случае получают кристаллы небольшого размера. [19]
Одним из наиболее перспективных направлений микроэлектроники является применение полупроводниковых интегральных схем, которое развивается на основе физики твердого тела и технологии производства полупроводниковых приборов. Интегральные схемы обладают более высокой степенью миниатюризации и большей надежностью, чем тонкопленочные микросхемы. В монокристалле кремния или германия можно получить схему, состоящую из пассивных и активных элементов, которые в соединении выполняют функцию законченного узла. Так, кристалл кремния размером 4 5x2x0 3 мм эквивалентен блоку, состоящему из 40 и более элементов. Процесс изготовления различных элементов схемы в одном кристалле небольших размеров создает значительные трудности в производстве интегральных схем. Однако, получение схем может быть механизировано и, таким образом, интегральные микроэлектронные узлы открывают большие возможности перед конструкторами. По данным ряда исследователей, интегральные схемы позволяют увеличить надежность аппаратуры в 30 - 40 раз по сравнению с другими микросхемами. Они обладают более коротким циклом разработки и производства; обеспечивают весьма большую плотность монтажа и хорошее рассеяние тепла. [20]