Кристалл - сегнетоэлектрик
Cтраница 1
 |
Процесс уменьшения деполяризующей энергии при разбиении на домены. а - монокристалл поляризован однородно. б - кристалл разбит на два домена. в - кристалл разбит на четыре домена. [1] |
Кристалл сегнетоэлектрика состоит из доменов, различающихся направлением вектора спонтанной поляризации. Изменение направления спонтанной поляризации происходит в доменных стенках, которые ограничивают области однородной поляризации. В одноосных кристаллах возможно существование 180-градусных доменов. В многослойных сегнетоэлектриках имеется возможность для существования доменов с взаимно перпендикулярной поляризацией 90-градусных доменов. Возможны и другие доменные конфигурации. [2]
В кристаллах сегнетоэлектриков самопроизвольно возникают макроскопические области, в которых дипольные моменты отдельных молекул ориентированы одинаково и при отсутствии внешнего электрического поля. [3]
В кристаллах сегнетоэлектриков конфигурация доменов может быть выявлена методом травления, так как противоположно заряженные концы доменов травятся с различной скоростью. На них наблюдались лишь большие темные ямки октагональной формы, которые были идентифицированы как микродомены, вкрапленные в кристаллическую основу с противоположной поляризацией. [4]
В кристаллах сегнетоэлектриков самопроизвольно возникают макроскопические области, в которых дипольные моменты отдельных молекул ориентированы одинаково и при отсутствии внешнего электрического поля. [5]
Наличие доменов в кристаллах сегнетоэлектриков было предсказано из косвенных соображений намного раньше, чем они были обнаружены экспериментально. [6]
Изучение направленного пробоя в кристаллах сегнетоэлектриков представляет интерес, так как в этих кристаллах вблизи температур сегнетоэлектрического перехода наблюдаются заметные изменения электрических и электромеханических свойств. [7]
При вводе примесных ионов в кристаллы сегнетоэлектриков, в зависимости от характера замещения ионов основания, возможно появление значительной концентрации компенсирующих дефектов в случае более высокой валентности замещающих ионов. Эти дефекты, например кислородные вакансии, могут принимать участие в процессах захвата электронов. [8]
Как уже отмечалось, разбитый на домены кристалл сегнетоэлектрика имеет симметрию пироэлектрического неполярного кристалла и пи-росвойствами обладать не может. [9]
К настоящему времени с исчерпывающей полнотой изучены пьезосвойства ряда кристаллов сегнетоэлектриков, хотя применения ограничиваются небольшим их числом. Ниже будут рассмотрены пьезосвойства некоторых наиболее типичных представителей сегнетоэлектриков, представляющих разные классы соединений. [10]
В соответствии с развиваемой моделью разность концентраций носителей у поверхностей кристалла сегнетоэлектрика приводит к возникновению наблюдаемого напряжения. [11]
В седьмой главе рассматривается собственная и вынужденная динамика доменных границ в кристаллах сегнетоэлектриков и сегнетоэластиков. Исследуется изгибная и трансляционная динамика доменных границ в сегнетоэлектрических кристаллах, оценивается вклад доменных границ в диэлектрические свойства сегнетоэлектриков и упругие свойства сегнетоэластиков, анализируются экспериментальные данные по диэлектрическим свойствам сегнетоэлектриков с различным типом и концентрацией дефектов. [12]
Основные свойства сегнетоэлектриков: большая величина е, насыщение при сравнительно небольших полях, гистерезисные явления, возникающие при переориентации электрического поля, - объясняются спонтанной поляризацией образцов. Кристаллы сегнетоэлектриков представляют собой совокупность самопроизвольно поляризованных до насыщения областей, называемых обычно доменами. В отсутствие внешнего поля домены поляризованы более или менее хаотично и суммарный электрический момент образца равен нулю. [13]
Сегнетоэлектриками могут быть только кристаллические вещества, причем такие, у которых отсутствует центр симметрии. Взаимодействие частиц в кристалле сегнетоэлектрика приводит к тому, что их дипольные моменты спонтанно устанавливаются параллельно друг другу. В исключительных случаях одинаковая ориентация дипольных моментов распространяется на весь кристалл. [14]
Сггнетоэлектриками могут быть только кристаллические вещества, причем такие, у которых отсутствует центр симметрии. Взаимодействие частиц в кристалле сегнетоэлектрика приводит к тому, что их дипольные моменты спонтанно устанавливаются параллельно друг другу. В исключительных случаях одинаковая ориентация дипольных моментов распространяется на весь кристалл. [15]
Страницы: 1 2