Кристалл - гексагональная сингония
Cтраница 1
Кристаллы гексагональной сингонии имеют форму шестигранных нризм, срезанных перпендикулярно к оси шестого порядка или увенчанных гексагональными пирамидами. [1]
Кристаллы гексагональной сингонии способны существовать при повышенных температурах вплоть до температуры плавления н-алкана; кристаллы же других сингонии существуют при пониженных температурах, ниже так называемой температуры перехода, вполне определенной для данного н-алкана. Переход кристаллов н-алканов из одной сингонии в другую полностью обратим. [2]
У кристаллов тетрагональной и гексагональной сингонии квадратичная форма определяется через два параметра. [3]
В кристаллах тетрагональной и гексагональной сингонии оси А и У всегда равноценны. [4]
При этом кристаллы гексагональной сингонии получатся только из той доли парафина, которая выкристаллизуется при температуре выше температуры перехода. [5]
 |
Координатные оси и основные грани гексагональных кристаллов. [6] |
Чтобы определить четырехчленный символ грани кристалла гексагональной сингонии по четырехчленным символам двух зон, необходимо предварительно найти субиндексы зон так же, как это делается для граней. Перекрестным умножением этих субиндексов и четвертых индексов находятся первый, второй и четвертый индексы грани, третий равен сумме первых двух с обратным знаком. [7]
Описанная процедура нахождения ориентировки кристалла универсальна; она пригодна и для работы с кристаллами гексагональной сингонии, если для обозначения направлений и плоскостей использовать системы с тремя индексами. [8]
 |
К двухмерной зависимости различных свойств от направления. [9] |
Для кристаллов кубической сингонии поверхности ряда указанных выше свойств можно представить в виде сферы; для кристаллов тригональной, тетрагональной и гексагональной сингонии - в виде эллипсоида вращения; для кристаллов ромбической, моноклинной и триклинной сингоний - в виде трехосного эллипсоида. Во многих случаях для характеристики анизотропии свойств достаточно двухмерного изображения, тогда показывают зависимость определенных свойств от направления в пределах одной грани кристалла. На рис. 1.14 показано двухмерное изображение твердости, упругости и теплопроводности на определенных гранях кристалла. [10]
Рентгеноструктурный анализ горячепрессован-ного образца из низкотемпературного порошка BN показывает, что параметры решетки такого образца характерны для хорошо сформированных кристаллов BN гексагональной сингонии. [11]
Прозрачный алмаз, имеющий твердость 10 и кристаллизующийся в кубической сингонии, и черный непрозрачный графит с твердостью 1, образующий табличатые кристаллы гексагональной сингонии, имеют одинаковый химический состав в представляют чистый углерод - С. [12]
Явление агрегатной кристаллизации нельзя смешивать с образованием друз кристаллов парафина, часто наблюдаемым при кристаллизации крупнокристаллических парафинов, особенно при образовании кристаллов гексагональной сингонии. Агрегатная кристаллизация - процесс, при котором кристаллы, выросшие независимо друг от друга из разных центров кристаллизации, оказываются хаотично сцементированными в единую систему выделившимися из раствора высокомолекулярными продуктами. [13]
Важнейшей особенностью парафинов, наиболее сильно отличающей их друг от друга и имеющей в практике большое значение, является кристаллическая форма модификаций и внешний вид ( габитус) кристаллов. Кристаллы гексагональной сингонии ( а-модификация) являются довольно длинными и Относительно крупными. [14]
Для кубических кристаллов ( а Ь с) достаточно снять одну рентгенограмму. Для кристаллов тетрагональной и гексагональной сингонии необходимы две рентгенограммы: одна при вращении вокруг оси а ( или Ь), а другая - вокруг с. Окончательный выбор ячейки и установление размещения атомов в ячейке проводят при последующем инди-цировании рентгенограмм. [15]
Страницы: 1 2