Кристалл - содержонок
Cтраница 4
Точки а и 6 показывают температуры плавления чистых металлов. Вид кривых плавления ( нижняя кривая) и затвердевания ( верхняя кривая) обусловлен тем, что выделяющиеся при охлаждении расплава кристаллы содержат оба компонента. Области I на диаграмме состояния отвечает расплав, области II - сосуществование расплава и кристаллов твердого раствора, области III - твердый раствор. [46]
Так, на комплексах типа [ ЭА2Г2 ] - НГ-2Н20 ( где Э - Сг, Со или Rh, А-Еп или Dipy, Г - С1 или Вг) было показано, что кристаллы содержат ионы [ Н2ОНОН2 ] ( ср. [47]
Так, на комплексах типа [ ЭА2Гг ] НГ 2НгО ( где Э - Сг, Со или Rh, А - En или Dipy, Г - С1 или Вг) было показано, что кристаллы содержат ионы [ НгОНОНг ] ( ср. Предполагается, что трехцентровая связь осуществляется в данном случае одной электронной парой ( ср. [48]
Только свинец образует устойчивый оксид, содержащий одновременно и РЬ11, и Pblv. Его получают совместным нагреванием РЬО и РЬ02 при 250 С. Кристаллы содержат октаэдры PbIVOe, связанные в цепи общими противоположными гранями. Эти цепи связаны друг с другом за счет атомов РЬ11, каждый из которых связан с тремя атомами кислорода. [49]
Хлороплатинат ( C6H14NCl) 2PtCl4 XH90 из горячих растворов получается в виде тонких желтых пластинок. При свободном испарении образуются превосходные блестящие оранжевые октаедры и тетраедры. Эти кристаллы содержат кристаллизационную воду и медленно выветриваются на воздухе в желтый порошок. В воде и слабом спирте соль легко растворима; в абсолютном алкоголе и эфире нерастворима. [50]
Идеальные кристаллы строго периодичны. Однако такая строгая периодичность в реальной ситуации трудно достижима. Обычно кристаллы содержат хотя бы небольшое количество мест, в которых строгая периодичность нарушена и образуются дефектные места или статические дефекты. [51]
Процесс кристаллизации начинается с выделения из пересыщенного раствора мельчайших частиц кристаллизующегося вещества-зародышей кристаллов, которые способны расти. Рост кристаллов происходит наиболее легко на острых углах первоначальных зародышей. Эти зародыши и образующиеся затем кристаллы содержат определенные дислокации на поверхности роста, что приводит к наличию винтовой дислокации, в результате которой при большом увеличении наблюдается спиральная структура поверхности кристаллов. Дислокационная теория, основные положения которой изложены в работе [26], объясняет механизм роста кристаллов индивидуальных н-алканов и их смесей. [52]
Анализ совершенно чистого карбоната любого металла крайне прост. Встречающиеся в природе карбонаты никогда не бывают совершенно чистыми, но иногда они достигают большой чистоты, например когда находятся в виде хорошо образованных кристаллических минералов, как кальцит, магнезит, сидерит или церрусит. Но даже и в таких случаях обычно оказывается, что кристаллы содержат небольшие включения посторонних веществ или представляют собой изоморфную смесь нескольких карбонатов, и тогда разделение может потребовать значительной затраты времени и труда. Большие отложения карбонатов в земной коре никогда не имеют такого простого состава. [53]
 |
Температурные зависимости подвижности электронов и дырок в антимониде индия с различной степенью легирования. [54] |
Максимальная подвижность электронов в InSb при 300 К, равная 7 8 - 104 см2 / ( В-с), сохраняется в некомпенсированном материале вплоть до концентрации доноров порядка 1016 см-3. Абсолютно наибольшее значение подвижности электронов, равное 1 2 - 106 см3 / ( В-с), наблюдалось при 77 К в образцах InSb с концентрацией доноров 8 - Ю12 см-3. В сверхчистом веществе подвижности, как правило, меньше, так как такого сорта кристаллы содержат взаимно компенсирующие друг друга дефекты, которые понижают подвижность вследствие ионного рассеяния. Кроме того, при высокой концентрации электронов последние экранируют положительные ионы, снижая их влияние на рассеяние. Поэтому при относительно высокой концентрации носителей подвижность может возрастать вследствие проявления эффекта экранирования. [55]
Страницы: 1 2 3 4