Кристалл - полупроводниковое соединение
Cтраница 1
 |
Один из способов бестигельного выращивания кристаллов из расплава.| Схема прибора для выращивания кристаллов халькогенидов кадмия. [1] |
Кристаллы полупроводниковых соединений получают из особо чистых компонентов сплавлением и последующей кристаллизацией из расплава. Температурные условия получения диктуются диаграммами состояния систем. Во многих случаях приходится применять двухтем-пературные печи. [2]
Кристаллы полупроводниковых соединений A BVI травят в травителях примерно тех же составов, что и соединения A BV, но в силу большей степени ионности связей в этих соединениях достигнуть эффекта полировки поверхности практически не удается. [3]
Помимо методов получения кристаллов полупроводниковых соединений из расплава известны методы получения таких кристаллов из растворов. В качестве растворителя могут быть использованы либо расплавы одного из компонентов, входящего в состав соединения, либо какие-нибудь другие вещества, не вступающие в химическую реакцию с соединением. [4]
Поэтому для получения высокочистых кристаллов полупроводниковых соединений используют тигли из пиролитического нитрида бора, позволяющего снизить содержание кремния на порядок и более по сравнению с материалом, полученным в кварцевых тиглях. [5]
 |
Эффективные коэффициенты распределения примесей элементах и синтезированных из них полупроводниковых соединениях. [6] |
Как уже говорилось, кристалл полупроводникового соединения в области гомогенности имеет дефектную структуру, что облегчает растворение в нем атомов не только собственных компонентов, но и примесей. Поэтому априори чем большей областью гомогенности обладает полупроводниковое соединение, тем менее эффективна для него кристаллизационная очистка. [7]
Таким образом, нагревание кристаллов полупроводникового соединения в общем случае приводит к разложению их на элементарные компоненты и образовавшийся расплав представляет собой раствор, обогащенный металлическим компонентом. Однако термическую диссоциацию соединения возможно предотвратить, создавая в закрытой реакционной системе противодавление летучего компонента. [8]
Эти же методы используют и для полировки поверхности кристаллов полупроводниковых соединений. Поэтому здесь мы ограничимся ссылками на работы, посвященные полировке кристаллов. [9]
Наиболее широко метод выращивания из растворов в расплавленных металлах в настоящее время применяется, вероятно, для получения кристаллов полупроводниковых соединений III-V групп, особенно GaP, для которого растворителем часто служит Ga. Рост происходит при достаточно низких температурах, где мала летучесть As и Р, которая сильно затрудняет выращивание кристаллов из расплава. Растворитель особенно удобен тем, что он не вводит в систему примесей и плавится при низкой температуре. [10]
В элементарных полупроводниках основную роль играют точечные дефекты типа примесных атомов. Они, как правило, определяют структурно-чувствительные электрофизические и физико-химические свойства полупроводящего вещества. В частности, дефекты Шоттки могут быть не только структурным несовершенством в кристаллах полупроводникового соединения, но и функционировать как электрически активные центры, выполняя функцию доноров или акцепторов. [11]
Страницы: 1