Cтраница 1
Кристаллы кубической структуры изотропны. Для халькогенидов ртути основная форма - кубическая. Сульфид цинка может иметь также ромбоэдрическую структуру. [1]
Из кристаллов кубической структуры в амплитудных модуляторах можно использовать гексамин, цинковую обманку ZnS, окись цинка ZnO, хлорид CuCl и бромид CuBr меди и др. Хлорид и бромид меди разрушаются под воздействием влажного воздуха. Другие материалы не требуют специальных покрытий и могут работать в обычной атмосфере. При использовании этих кристаллов внешнее электрическое поле направляется перпендикулярно направлению оптического излучения. В этом случае электроды можно выполнить из непрозрачного материала, что значительно удобнее в конструктивном отношении по сравнению с полупрозрач-ними электродами или электродами, имеющими отверстия для пропускания светового луча. [2]
Рассмотрим краевую или, как ее еще называют, линейную дислокацию на примере кристалла простой кубической структуры. [3]
Вильямсон и Глассер [42] быстрым охлаждением расплава ( из области расслаивания жидкой фазы) получали богатые кремнеземом кристаллы кубической структуры, которые не могли быть отнесены к известным силикатам кальция. [4]
Очень важным для понимания структуры и процесса образования клатратных соединений является исследование гидратов не одного, а двух различных газов. Гидраты газов представляют собой кристаллы кубической структуры. Молекулы воды в них должны быть расположены иначе, чем в обычной гексагональной структуре льда. [5]
При одновременной конденсации кадмия и серы ( или селена) на гранях скола слюды или NaCl образуются поликристаллические образцы. Крупные кристаллы гексагональной фазы ориентированы параллельно подложке, а кристаллы кубической структуры остаются после отжига неориентированными. [6]
![]() |
Индикатриса коэффициентов оптического преломления. [7] |
Эллипсоид показателей преломления характеризует зависимость коэффициента преломления вещества от направления. В оптически изотропных диэлектриках ( газы, жидкости, стекла, аморфные вещества, кристаллы кубической структуры) показатель преломления во всех направлениях одинаков. [8]
Симметрия кристаллических тел является следствием их правильного внутреннего строения, поэтому не только форма, но и свойства кристаллов симметричны. Симметрия структуры и симметрия физического свойства материала не всегда совпадают. Например, кристаллы кубической структуры изотропны по своим оптическим свойствам. [9]
Для характеристики ориентировки кристалла в случае одноосного нагружения используется только один треугольник. Обычно берется треугольник с вершинами [001], [ Oil ], [111], расположенный в центре проекции. Все возможные ориентации кристаллов кубической структуры обозначаются точкой ( например, оси растяжения) внутри такого треугольника или вдоль его границ. Затем положение этих осей откладывают на стандартном треугольнике, используя стереографическую сетку. [10]
Существует, однако, немало доказательств тому, что в этих кристаллах имеется известная доля связи гомеополярного типа. Теоретический расчет зонной структуры в PbS, который выполнили Дороти Белл и др. [ 81, указывает на то, что эффективный заряд ионов равен приблизительно 1 5 е, а не 2 е, как должно было бы быть в случае чисто ионного кристалла, состоящего из двухвалентных атомов. Вещества со связью преимущественно гомеополярного типа образуют, как правило, кристаллы со структурой цинковой обманки, или другой какой-нибудь родственной структуры, тогда как соединения с преобладающим ионным характером связи образуют кристаллы простой кубической структуры, родственной структурам щелочно-галоидных соединений. Полупроводники такого типа обычно называются полярными полупроводниками. [11]
Удельное сопротивление кристаллов сульфида цинка, полученных различными способами, колеблется в пределах 108 - 10й ом-см. Оптическая ширина запрещенной зоны составляет 3 58, а энергия активации, определенная из кривой температурного хода собственной проводимости - 3 67 эв. Эта термическая ширина запрещенной зоны относится к вюртцитной модификации сульфида цинка. Кристаллы ZnS кубической структуры обладают несколько меньшей термической шириной запретной зоны. Таким образом, по проводимости и ширине запрещенной зоны сульфид цинка близок к изоляторам. В то же время сульфид цинка можно отнести к широкозонным полупроводникам, который трудно легировать до нужных значений проводимости п - или уо-типа. [12]